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La Cina SST39VF010-70-4I-WHE IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP Tecnologia a microchip

SST39VF010-70-4I-WHE IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP Tecnologia a microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
La Cina MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2 GBIT PARALLELA 84 FBGA Micron Technology Inc.

MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2 GBIT PARALLELA 84 FBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM-DDR2
La Cina CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLELO 165FBGA Infineon Technologies

CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLELO 165FBGA Infineon Technologies

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Sincrono, DSR
La Cina MX25L6406EMI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 16SOP Macronix

MX25L6406EMI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 16SOP Macronix

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
La Cina IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
La Cina IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
La Cina 71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.

71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 Semiconduttore Rohm

BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 Semiconduttore Rohm

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON Winbond Electronics

W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON Winbond Electronics

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
La Cina 71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc.

71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
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