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La Cina MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA Micron Technology Inc.

MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
La Cina W631GG6KB-12 IC DRAM 1 GBIT PARALLELA 96 WBGA Winbond Electronics

W631GG6KB-12 IC DRAM 1 GBIT PARALLELA 96 WBGA Winbond Electronics

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
La Cina MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLELA 78FBGA Micron Technology Inc.

MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLELA 78FBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
La Cina MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLELA 144FBGA Micron Technology Inc.

MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLELA 144FBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
La Cina 71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP Renesas Electronics America Inc.

71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153VFBGA Micron Technology Inc.

MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
La Cina IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
La Cina CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Cypress Semiconductor Corp.

CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Cypress Semiconductor Corp.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM-DDR
La Cina MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.

MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
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