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IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Numero di modello IS42S16100H-7BL-TR
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM Capacità di memoria 16Mbit
Organizzazione di memoria 1M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 143 megahertz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 5,5 NS Voltaggio - Fornitura 3V ~ 3,6V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 60-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 60-TFBGA (6.4x10.1)
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Part Number Description
IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
AS4C4M16SA-7B2CNTR IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
AS4C4M16SA-7B2CN IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
IS42S16400J-7B2LI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400J-7B2LI IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-6BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
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IS42S16100E-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

DESCRIPZIONE ISSI 16Mb DRAM sincrona IS42S16100 è organizzata come una banca di 524.288 parole x 16 bit x 2 per migliorare le prestazioni.Le DRAM sincrone raggiungono un trasferimento di dati ad alta velocità utilizzando un'architettura di pipelineTutti i segnali di ingresso e di uscita si riferiscono al bordo ascendente dell'ingresso dell'orologio.

Caratteristiche

• Frequenza di orologeria: 166, 143, 100 MHz
• Completamente sincronizzato; tutti i segnali sono riferiti a un filo orario positivo
• Due banche possono operare simultaneamente e indipendentemente
• Doppia banca interna controllata da A11 (banca selezionata)
• Fornitore di alimentazione singolo da 3,3 V
• Interfaccia LVTTL
• lunghezza di scatto programmabile 1, 2, 4, 8, pagina completa
• Sequenza di scoppio programmabile: Sequenziale/Interleave
• Aggiornamento automatico, auto aggiornamento
• 4096 cicli di aggiornamento ogni 128 ms
• Indirizzo di colonna casuale ogni ciclo di orologio
• latenza CAS programmabile (2, 3 ore)
• Capacità di lettura/scrittura e di lettura/scrittura singola
• Terminare il colpo di scarica tramite comando di arresto e di precarica
• Byte controllato da LDQM e UDQM
• Pacchetto 400 millimetro a 50 pin TSOP II

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore ISSI
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR)
Cassa del pacchetto 60-TFBGA
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 3 V ~ 3,6 V
Confezione del dispositivo del fornitore 60-TFBGA (6.4x10.1)
Capacità di memoria 16M (1M x 16)
Tipo di memoria SDRAM
Velocità 143 MHz
Format-memoria RAM

Descrizioni

Memoria SDRAM IC 16Mb (1M x 16) parallela a 143MHz 5.5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
16M, 3.3V, SDRAM, 1MX16, 143MH
DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz, RoHS
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI