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85MHZ memoria flash stabile IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

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xDettagli
Tipo di memoria | Non volatile | Formato di memoria | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH | Capacità di memoria | 16Mbit |
Organizzazione di memoria | 528 byte x 4096 pagine | Interfaccia di memoria | SPI |
Frequenza di clock | 85 megahertz | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 8µs, 4ms |
Tempo di Access | - | Tensione - rifornimento | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
Pacchetto/caso | 8-SOIC (0,209", larghezza di 5.30mm) | Pacchetto del dispositivo del fornitore | 8-SOIC |
Evidenziare | Memoria flash stabile IC,85MHZ memoria flash IC,AT45DB161E-SHD-T |
Descrizione di prodotto
Progettazione Germania dell'ISTANTANEO 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas di AT45DB161E-SHD-T IC Gmbh
Dettagli del prodotto
Descrizione
Il Atmel AT45DB161E è un minimo 2.3V o 2.5V, memoria flash ad accesso sequenziale dell'interfaccia seriale adatta idealmente per un'ampia varietà di voce digitale, immagine, codice di programma e le applicazioni di archiviazione di dati. Il AT45DB161E inoltre sostiene l'interfaccia seriale delle rapide per le applicazioni che richiedono l'operazione molto ad alta velocità. I suoi 17.301.504 bit della memoria sono organizzati come 4.096 pagine di 512 byte o di 528 byte ciascuno. Oltre al della memoria principale, il AT45DB161E inoltre contiene due amplificatori di SRAM di 512/528 di byte ciascuno. Gli amplificatori permettono la ricezione dei dati mentre una pagina nel della memoria principale sta riprogrammanda. Interfogliando fra entrambi gli amplificatori può aumentare drammaticamente la capacità di un sistema di scrivere un flusso di dati continuo. Inoltre, gli amplificatori di SRAM possono essere usati come graffio supplementare del sistema pademory e l'emulazione di E2PROM (alterabilità di byte o del bit) può essere trattata facilmente con un in tre tappe autonomo leggere-modificare-scrive l'operazione.
Caratteristiche
singolo 2.3V - 3.6V o 2.5V - rifornimento 3.6Vinterfaccia periferica di serie del (SPI) compatibile
il sostiene i modi 0 e 3 di SPI
il sostiene l'operazione di Atmel® RapidS™
capacità colta continua del con intera matrice
fino a 85MHz
opzione colta a bassa potenza del fino a 10MHz
tempo dell'Orologio--uscita del (TV) del massimo 6ns
dimensione di pagina configurabile dell'utente del
512 byte per pagina
528 byte per pagina (difetto)
la dimensione di pagina del può essere fabbrica pre-configurata per 512 byte
buffer di SRAM dell'indipendente del due completamente - (512/528 di byte)
Allows che riceve i dati mentre riprogrammando la matrice della memoria principale
opzioni di programmazione flessibili del
programma di byte/pagina del (1 - 512/528 di byte) direttamente in della memoria principale
amplificatore del scrivere
il attenua al programma della memoria principale della pagina
il flessibile cancella le opzioni
la pagina del cancella (512/528 di byte)
il blocchetto del cancella (4KB)
il settore del cancella (128KB)
Chip Erase (16-Mbits)
programma del e cancellare sospendere/riassunto
caratteristiche di protezione dei dati avanzate dell'hardware e del software del
protezione individuale del settore del
singolo lockdown del settore del per rendere qualsiasi settore permanentemente passivo
128 byte, registro programmabile di una volta di sicurezza (OTP)
una fabbrica da 64 byte programmata con un identificatore unico
un utente da 64 byte programmabile
risistemazione controllata del software del
l'identificazione standard del produttore e del dispositivo del JEDEC ha letto
dissipazione a bassa potenza del
il 500nA Ultra-profondo spegne la corrente (tipica)
3μA in profondità spegnere corrente (tipico)
corrente del appoggio del 25μA (tipica)
corrente colta attiva del 11mA (tipica)
resistenza del : 100.000 programmi/cancellano i cicli per minimo della pagina
conservazione di dati del : 20 anni
il aderisce alla gamma di temperature industriale completa
opzioni d'imballaggio di verde del (Pb/Halide-free/RoHS compiacente)
8 condurre SOIC (0,150" ampio)
cuscinetto DFN ultrasottile (5 x 6 x 0.6mm) del 8
Chip-scala BGA (5 x 5 x 1.2mm) della palla del 9
Specifiche
Attributo | Valore di attributo |
---|---|
Produttore | ADESTO |
Categoria di prodotto | Memoria CI |
Serie | AT45DB |
Imballaggio | Metropolitana |
Unità-peso | 0,019048 once |
Stile montaggio | SMD/SMT |
Azionare-Temperatura-gamma | - 40 C + a 85 C |
Pacchetto-caso | 8-SOIC (0,209", larghezza di 5.30mm) |
Azionare-temperatura | -40°C ~ 85°C (TC) |
Interfaccia | SPI, rapide |
Tensione-rifornimento | 2,5 V ~ 3,6 V |
Fornitore-Dispositivo-pacchetto | 8-SOIC |
Capacità di memoria | 16M (4096 pagine x 528 byte) |
Memoria tipo | DataFLASH |
Velocità | 85MHz |
Architettura | Chip Erase |
Formato-memoria | FLASH |
Interfaccia tipo | SPI |
Organizzazione | 2 m. x 8 |
Rifornimento-Corrente-massimo | 22 mA |
Dato-Bus-larghezza | bit 8 |
Rifornimento-Tensione-massimo | 3,6 V |
Rifornimento-Tensione-min | 2,5 V |
Pacchetto-caso | SOIC-8 |
Massimo-Orologio-frequenza | 70 megahertz |
Sincronizzazione tipo | Sincrono |
Produttore Part # | Descrizione | Produttore | Confronti |
SST25VF016B-50-4I-QAF Memoria |
16M x 1 2.7V PROMENADE ISTANTANEA, DSO8, 6 x 5 MILLIMETRI, ROHS COMPIACENTE, WSON-8 | Tecnologia inc del microchip | AT45DB161E-SHD-T contro SST25VF016B-50-4I-QAF |
SST26VF016B-104I/SM Memoria |
PROMENADE dell'ISTANTANEO 2.7V di IC, ROM programmabile | Tecnologia inc del microchip | AT45DB161E-SHD-T contro SST26VF016B-104I/SM |
SST25VF016B-75-4I-S2AF Memoria |
16M x 1 2.7V PROMENADE ISTANTANEA, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETRI, ROHS COMPIACENTE, EIAJ, SOIC-8 | Tecnologia inc del microchip | AT45DB161E-SHD-T contro SST25VF016B-75-4I-S2AF |
AT45DB161E-SSHD-T Memoria |
Istantaneo, 16MX1, PDSO8, A 0,150 POLLICI, VERDE, DI PLASTICA, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | AT45DB161E-SHD-T contro AT45DB161E-SSHD-T |
AT45DB161E-SHD-B Memoria |
Istantaneo, 16MX1, PDSO8, A 0,208 POLLICI, VERDE, DI PLASTICA, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | AT45DB161E-SHD-T contro AT45DB161E-SHD-B |
AT45DB161E-SSHD-B Memoria |
Istantaneo, 16MX1, PDSO8, A 0,150 POLLICI, VERDE, DI PLASTICA, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | AT45DB161E-SHD-T contro AT45DB161E-SSHD-B |
AT45DB161D-SU Memoria |
Istantaneo, 16MX1, PDSO8, A 0,209 POLLICI, VERDE, DI PLASTICA, EIAJ, SOIC-8 | Atmel Corporation | AT45DB161E-SHD-T contro AT45DB161D-SU |
SST25VF016B-50-4I-S2AF Memoria |
16M x 1 2.7V PROMENADE ISTANTANEA, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETRI, ROHS COMPIACENTE, EIAJ, SOIC-8 | Tecnologia inc del microchip | AT45DB161E-SHD-T contro SST25VF016B-50-4I-S2AF |
SST25VF016B-50-4C-S2AF Memoria |
16M x 1 2.7V PROMENADE ISTANTANEA, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETRI, ROHS COMPIACENTE, EIAJ, SOIC-8 | Tecnologia inc del microchip | AT45DB161E-SHD-T contro SST25VF016B-50-4C-S2AF |
Descrizioni
Memoria flash IC 16Mb (528 byte x 4096 pagine) SPI 85MHz 8-SOIC
NÉ DI SERIE-SPI istantaneo 3.3V 16M-bit 6ns 8-Pin SOIC EIAJ T/R
Flash di dati di memoria flash 16M 2.5-3.6V 85Mhz
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