85MHZ memoria flash stabile IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

Marca Renesas Design Germany GmbH
Numero di modello AT45DB161E-SHD-T
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari borsa & scatola di cartone antistatiche
Tempi di consegna 3-5 giorni del lavoro
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Dettagli
Tipo di memoria Non volatile Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH Capacità di memoria 16Mbit
Organizzazione di memoria 528 byte x 4096 pagine Interfaccia di memoria SPI
Frequenza di clock 85 megahertz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 8µs, 4ms
Tempo di Access - Tensione - rifornimento 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TC) Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 8-SOIC (0,209", larghezza di 5.30mm) Pacchetto del dispositivo del fornitore 8-SOIC
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Memoria flash stabile IC

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85MHZ memoria flash IC

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AT45DB161E-SHD-T

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Descrizione di prodotto

Progettazione Germania dell'ISTANTANEO 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas di AT45DB161E-SHD-T IC Gmbh

Dettagli del prodotto

Descrizione

Il Atmel AT45DB161E è un minimo 2.3V o 2.5V, memoria flash ad accesso sequenziale dell'interfaccia seriale adatta idealmente per un'ampia varietà di voce digitale, immagine, codice di programma e le applicazioni di archiviazione di dati. Il AT45DB161E inoltre sostiene l'interfaccia seriale delle rapide per le applicazioni che richiedono l'operazione molto ad alta velocità. I suoi 17.301.504 bit della memoria sono organizzati come 4.096 pagine di 512 byte o di 528 byte ciascuno. Oltre al della memoria principale, il AT45DB161E inoltre contiene due amplificatori di SRAM di 512/528 di byte ciascuno. Gli amplificatori permettono la ricezione dei dati mentre una pagina nel della memoria principale sta riprogrammanda. Interfogliando fra entrambi gli amplificatori può aumentare drammaticamente la capacità di un sistema di scrivere un flusso di dati continuo. Inoltre, gli amplificatori di SRAM possono essere usati come graffio supplementare del sistema pademory e l'emulazione di E2PROM (alterabilità di byte o del bit) può essere trattata facilmente con un in tre tappe autonomo leggere-modificare-scrive l'operazione.

Caratteristiche

 singolo 2.3V - 3.6V o 2.5V - rifornimento 3.6V
interfaccia periferica di serie del  (SPI) compatibile
il  sostiene i modi 0 e 3 di SPI
il  sostiene l'operazione di Atmel® RapidS™
capacità colta continua del  con intera matrice
 fino a 85MHz
opzione colta a bassa potenza del  fino a 10MHz
tempo dell'Orologio--uscita del  (TV) del massimo 6ns
dimensione di pagina configurabile dell'utente del 
 512 byte per pagina
 528 byte per pagina (difetto)
la dimensione di pagina del  può essere fabbrica pre-configurata per 512 byte
buffer di SRAM dell'indipendente del  due completamente - (512/528 di byte)
 Allows che riceve i dati mentre riprogrammando la matrice della memoria principale
opzioni di programmazione flessibili del 
programma di byte/pagina del  (1 - 512/528 di byte) direttamente in della memoria principale
amplificatore del  scrivere
il  attenua al programma della memoria principale della pagina
il  flessibile cancella le opzioni
la pagina del  cancella (512/528 di byte)
il blocchetto del  cancella (4KB)
il settore del  cancella (128KB)
 Chip Erase (16-Mbits)
programma del  e cancellare sospendere/riassunto
caratteristiche di protezione dei dati avanzate dell'hardware e del software del 
protezione individuale del settore del 
singolo lockdown del settore del  per rendere qualsiasi settore permanentemente passivo
 128 byte, registro programmabile di una volta di sicurezza (OTP)
 una fabbrica da 64 byte programmata con un identificatore unico
 un utente da 64 byte programmabile
risistemazione controllata del software del 
l'identificazione standard del produttore e del dispositivo del  JEDEC ha letto
dissipazione a bassa potenza del 
il  500nA Ultra-profondo spegne la corrente (tipica)
 3μA in profondità spegnere corrente (tipico)
corrente del appoggio del  25μA (tipica)
corrente colta attiva del  11mA (tipica)
resistenza del : 100.000 programmi/cancellano i cicli per minimo della pagina
conservazione di dati del : 20 anni
il  aderisce alla gamma di temperature industriale completa
opzioni d'imballaggio di verde del  (Pb/Halide-free/RoHS compiacente)
 8 condurre SOIC (0,150" ampio)
cuscinetto DFN ultrasottile (5 x 6 x 0.6mm) del  8
Chip-scala BGA (5 x 5 x 1.2mm) della palla del  9

Specifiche

Attributo Valore di attributo
Produttore ADESTO
Categoria di prodotto Memoria CI
Serie AT45DB
Imballaggio Metropolitana
Unità-peso 0,019048 once
Stile montaggio SMD/SMT
Azionare-Temperatura-gamma - 40 C + a 85 C
Pacchetto-caso 8-SOIC (0,209", larghezza di 5.30mm)
Azionare-temperatura -40°C ~ 85°C (TC)
Interfaccia SPI, rapide
Tensione-rifornimento 2,5 V ~ 3,6 V
Fornitore-Dispositivo-pacchetto 8-SOIC
Capacità di memoria 16M (4096 pagine x 528 byte)
Memoria tipo DataFLASH
Velocità 85MHz
Architettura Chip Erase
Formato-memoria FLASH
Interfaccia tipo SPI
Organizzazione 2 m. x 8
Rifornimento-Corrente-massimo 22 mA
Dato-Bus-larghezza bit 8
Rifornimento-Tensione-massimo 3,6 V
Rifornimento-Tensione-min 2,5 V
Pacchetto-caso SOIC-8
Massimo-Orologio-frequenza 70 megahertz
Sincronizzazione tipo Sincrono
ComponentForm compatibile funzionale, pacchetto, componente compatibile funzionale
Produttore Part # Descrizione Produttore Confronti
SST25VF016B-50-4I-QAF
Memoria
16M x 1 2.7V PROMENADE ISTANTANEA, DSO8, 6 x 5 MILLIMETRI, ROHS COMPIACENTE, WSON-8 Tecnologia inc del microchip AT45DB161E-SHD-T contro SST25VF016B-50-4I-QAF
SST26VF016B-104I/SM
Memoria
PROMENADE dell'ISTANTANEO 2.7V di IC, ROM programmabile Tecnologia inc del microchip AT45DB161E-SHD-T contro SST26VF016B-104I/SM
SST25VF016B-75-4I-S2AF
Memoria
16M x 1 2.7V PROMENADE ISTANTANEA, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETRI, ROHS COMPIACENTE, EIAJ, SOIC-8 Tecnologia inc del microchip AT45DB161E-SHD-T contro SST25VF016B-75-4I-S2AF
AT45DB161E-SSHD-T
Memoria
Istantaneo, 16MX1, PDSO8, A 0,150 POLLICI, VERDE, DI PLASTICA, MS-012AA, SOIC-8 Adesto Technologies Corporation AT45DB161E-SHD-T contro AT45DB161E-SSHD-T
AT45DB161E-SHD-B
Memoria
Istantaneo, 16MX1, PDSO8, A 0,208 POLLICI, VERDE, DI PLASTICA, SOIC-8 Adesto Technologies Corporation AT45DB161E-SHD-T contro AT45DB161E-SHD-B
AT45DB161E-SSHD-B
Memoria
Istantaneo, 16MX1, PDSO8, A 0,150 POLLICI, VERDE, DI PLASTICA, MS-012AA, SOIC-8 Adesto Technologies Corporation AT45DB161E-SHD-T contro AT45DB161E-SSHD-B
AT45DB161D-SU
Memoria
Istantaneo, 16MX1, PDSO8, A 0,209 POLLICI, VERDE, DI PLASTICA, EIAJ, SOIC-8 Atmel Corporation AT45DB161E-SHD-T contro AT45DB161D-SU
SST25VF016B-50-4I-S2AF
Memoria
16M x 1 2.7V PROMENADE ISTANTANEA, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETRI, ROHS COMPIACENTE, EIAJ, SOIC-8 Tecnologia inc del microchip AT45DB161E-SHD-T contro SST25VF016B-50-4I-S2AF
SST25VF016B-50-4C-S2AF
Memoria
16M x 1 2.7V PROMENADE ISTANTANEA, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETRI, ROHS COMPIACENTE, EIAJ, SOIC-8 Tecnologia inc del microchip AT45DB161E-SHD-T contro SST25VF016B-50-4C-S2AF

Descrizioni

Memoria flash IC 16Mb (528 byte x 4096 pagine) SPI 85MHz 8-SOIC
NÉ DI SERIE-SPI istantaneo 3.3V 16M-bit 6ns 8-Pin SOIC EIAJ T/R
Flash di dati di memoria flash 16M 2.5-3.6V 85Mhz