Chip di memoria flash di superficie del supporto 64Kbit, CAT28C64BG-12T IC istantaneo EEPROM

Marca onsemi
Numero di modello CAT28C64BG-12T
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari borsa & scatola di cartone antistatiche
Tempi di consegna 3-5 giorni del lavoro
Termini di pagamento T/T
Capacità di alimentazione in azione

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Dettagli
Tipo di memoria Non volatile Formato di memoria EEPROM
Tecnologia EEPROM Capacità di memoria 64Kbit
Organizzazione di memoria 8K x 8 Interfaccia di memoria Parallelo
Frequenza di clock - Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 5ms
Tempo di Access 120 NS Tensione - rifornimento 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TUM) Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 32-LCC (J-cavo) Pacchetto del dispositivo del fornitore 32-PLCC (11.43x13.97)
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Chip di memoria flash di superficie del supporto

,

Chip di memoria flash 64Kbit

,

Flash IC EEPROM di CAT28C64BG-12T

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Descrizione di prodotto

Onsemi di PARALLELO 32PLCC di CAT28C64BG-12T IC EEPROM 64KBIT

Dettagli del prodotto

DESCRIZIONE

Il CAT28C64B è un veloce, il potere basso, il parallelo EEPROM di 5V-only CMOS organizzato come 8K x 8 bit. Richiede un'interfaccia semplice per la programmazione del in-sistema. i fermi di indirizzo e di dati del Su chip, auto-cronometrati scrivono il ciclo con l'azzeramento automatico e VCC il potere up/down scrive la protezione per eliminare l'hardware supplementare della protezione e della sincronizzazione. La votazione di DATI ed i bit di stato levi segnalano l'inizio e la conclusione del auto-cronometrato scrive il ciclo. Ulteriormente, il CAT28C64B caratterizza l'hardware ed il software scrive la protezione.
Il CAT28C64B è fabbricato facendo uso della tecnologia di galleggiamento avanzata del portone del CMOS del catalizzatore. È destinato per resistere a 100.000 programmi/cancella i cicli ed ha una conservazione di dati di 100 anni. Il dispositivo è disponibile in JEDEC ha approvato la IMMERSIONE di 28 perni, TSOP, SOIC, o, 32 pacchetto del perno PLCC.

CARATTERISTICHE

Tempi di accesso colto veloci:
– 90/120/150ns
■Dissipazione di CMOS di potere basso:
– Attivo: massimo di 25 mA.
– Appoggio: un massimo di 100 µA.
■Semplice scriva l'operazione:
– fermi di indirizzo e di dati del Su chip
– Auto-cronometrato scriva il ciclo con l'azzeramento automatico
■Velocemente scriva il tempo di ciclo:
– massimo 5ms.
■CMOS ed ingresso/uscita compatibile di TTL
■L'hardware ed il software scrivono la protezione
■Commerciale, industriale ed automobilistico
gamme di temperature
■La pagina automatica scrive l'operazione:
– 1 - 32 byte in 5ms
– Temporizzatore del carico della pagina
■Conclusione di scrivere rilevazione:
– Pezzo leva
– Votazione di DATI
■100.000 programmi/cancellano i cicli
■una conservazione di 100 dati di anno

Specifiche

Attributo Valore di attributo
Produttore onsemi
Categoria di prodotto Memoria CI
Serie -
Imballaggio Nastro & bobina (TR)
Pacchetto-caso 32-LCC (J-cavo)
Azionare-temperatura 0°C ~ 70°C (TUM)
Interfaccia Parallelo
Tensione-rifornimento 4,5 V ~ 5,5 V
Fornitore-Dispositivo-pacchetto 32-PLCC (11.43x13.97)
Capacità di memoria 64K (8K x 8)
Memoria tipo EEPROM
Velocità 120ns
Formato-memoria EEPROMs - parallelo

Descrizioni

Memoria IC 64Kb (8K x 8) 120ns parallelo 32-PLCC (11.43x13.97) di EEPROM
EEPROM 64K-bit parallelo 8K x 8 5V 32-Pin PLCC T/R