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La Cina GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLELO 165FPBGA GSI Technology Inc.

GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLELO 165FPBGA GSI Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Quad Port, sincrono
La Cina BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Semiconduttore Rohm

BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Semiconduttore Rohm

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLELO 44SOJ Alliance Memory, Inc.

AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLELO 44SOJ Alliance Memory, Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc

70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - doppia porta, asincrona
La Cina W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics

W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - LPDDR2 mobile
La Cina MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
La Cina W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Elettronica Winbond

W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Elettronica Winbond

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
La Cina IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - doppia porta, sincrona
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