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W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics

  • W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics
Marca Winbond Electronics
Numero di modello W979H2KBVX2I
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - LPDDR2 mobile Capacità di memoria 512Mbit
Organizzazione di memoria 16M x 32 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 400 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access - Voltaggio - Fornitura 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 134-VFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 134-VFBGA (10x11.5)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I TR IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
W97AH2NBVA2I IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H6KBVX2E TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W979H2KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
MT42L128M32D2MH-25 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L128M32D2MH-3 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 IT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione generale

Il W9712G6JB è una 128M bit DDR2 SDRAM, organizzata in 2,097,152 parole ×4 banche ×16 bit. Questo dispositivo raggiunge velocità di trasferimento elevate fino a 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) per applicazioni generali.25IIl -18 è conforme alle specifiche DDR2-1066 (7-7-7).Il -25/25I/25A sono conformi alle specifiche DDR2-800 (5-5-5) o DDR2-800 (6-6-6) (il grado industriale 25I e il grado automobilistico 25A che è garantito per supportare -40 °C ≤TCASE ≤95 °C)Il -3 è conforme alle specifiche DDR2-667 (5-5-5).

Caratteristiche

Fonte di alimentazione: VDD, VDDQ= 1,8 V ±0,1 V
Architettura a doppio tasso di trasmissione dati: due trasferimenti di dati per ciclo di orologeria
CAS latency: 3, 4, 5, 6 e 7
Lunghezza di scoppio: 4 e 8
Stroboscopi bidirezionali a differenziale (DQS e DQS) sono trasmessi/ricevuti con i dati
Allineato sul bordo con i dati di lettura e allineato al centro con i dati di scrittura
DLL allinea le transizioni DQ e DQS con l'orologio
Input di orologeria differenziale (CLK e CLK)
Maschere di dati (DM) per la scrittura dei dati.
I comandi inseriti su ciascun bordo positivo CLK, dati e maschera di dati sono riferiti a entrambi i bordi di DQS
La latenza additiva programmabile CAS è supportata per rendere l'efficienza del comando e del bus dati
Lettura di latenza = latenza aggiuntiva più latenza CAS (RL = AL + CL)
Regolazione dell'impedenza Off-Chip-Driver (OCD) e On-Die-Termination (ODT) per una migliore qualità del segnale
Funzione di precarica automatica per le scosse di lettura e scrittura
Modi di aggiornamento automatico e autoaggiornamento
Disattivazione di carica e disattivazione attiva
Scrivere la maschera dei dati
Scrivere latenza = leggere latenza - 1 (WL = RL - 1)
Interfaccia: SSTL_18
Confezionato in WBGA 84 Ball (8X12,5 mm)2), utilizzando materiali privi di piombo e conformi alla RoHS

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Winbond Electronics
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Scaffale
Cassa del pacchetto 134-VFBGA
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 1.14 V ~ 1.95 V
Confezione del dispositivo del fornitore 134-VFBGA (10x11.5)
Capacità di memoria 512M (16M x 32)
Tipo di memoria SDRAM LPDDR2 mobile
Velocità 400 MHz
Format-memoria RAM

Descrizioni

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) parallelo 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
SDRAM ad alta velocità, clock rate fino a 533 MHz, quattro banche interne
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI