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La Cina CAT28LV256G25 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC su semi

CAT28LV256G25 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC su semi

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLELO 48TSOP Winbond Electronics

W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLELO 48TSOP Winbond Electronics

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
La Cina CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLELO 32TSOP I Infineon Technologies

CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLELO 32TSOP I Infineon Technologies

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Tecnologie Infineon

CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Tecnologie Infineon

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM-DDR
La Cina MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A IC FLASH 64GBIT PARALLELO 100VBGA Micron Technology Inc.

MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A IC FLASH 64GBIT PARALLELO 100VBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
La Cina AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8UDFN Renesas Design Germany GmbH

AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8UDFN Renesas Design Germany GmbH

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
La Cina CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies

CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Sincrono, DSR
La Cina SST26VF016BT-104I/MF IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD Tecnologia a microchip 8WDFN

SST26VF016BT-104I/MF IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD Tecnologia a microchip 8WDFN

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
La Cina DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLELA 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrato

DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLELA 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrato

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: NVSRAM
Tecnologia: NVSRAM (SRAM non volatile)
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