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DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLELA 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrato
Marca | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
---|---|
Numero di modello | DS1245AB-70+ |
Quantità di ordine minimo | 1 |
Prezzo | Based on current price |
Imballaggi particolari | sacchetto antistatico e scatola di cartone |
Tempi di consegna | 3-5 giorni lavorativi |
Termini di pagamento | T/T |
Capacità di alimentazione | In magazzino |

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xDettagli
Tipo di memoria | Non volatile | Formato di memoria | NVSRAM |
---|---|---|---|
Tecnologia | NVSRAM (SRAM non volatile) | Capacità di memoria | 1 MB |
Organizzazione di memoria | 128K x 8 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
Frequenza di clock | - | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 70ns |
Tempo di Access | 70 NS | Voltaggio - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo di montaggio | Attraverso il buco |
Confezione / Cassa | 32-DIP modulo (0,600", 15.24mm) | Confezione del dispositivo del fornitore | 32-EDIP |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number | Description | |
---|---|---|
DS1245AB-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-150 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Descrizione
Le SRAM DS1245 1024k non volatili sono 1,048,576 bit, SRAM completamente statici e non volatili organizzati in 131.072 parole per 8 bit.Ogni SRAM NV completa è dotata di una fonte di energia al litio autonoma e di un circuito di controllo che monitora costantemente la VCC per verificare una condizione fuori tolleranzaQuando si verifica una tale condizione, la fonte di energia al litio viene attivata automaticamente e la protezione da scrittura è attivata incondizionatamente per prevenire la corruzione dei dati.I dispositivi DS1245 del pacchetto DIP possono essere utilizzati al posto delle RAM statiche esistenti da 128k x 8 direttamente conformi allo standard DIP a 32 pinI dispositivi DS1245 del pacchetto PowerCap Module sono montati direttamente in superficie e sono normalmente accoppiati con un DS9034PC PowerCap per formare un modulo SRAM non volatile completo.Non vi è alcun limite al numero di cicli di scrittura che possono essere eseguiti e non sono richiesti ulteriori circuiti di supporto per l'interfaccia del microprocessore.
Caratteristiche
■ 10 anni di conservazione minima dei dati in assenza di alimentazione esterna■ Protezione automatica dei dati in caso di perdita di corrente
■ Sostituisce la RAM statica volatile 128k x 8, la memoria EEPROM o Flash
■ Cicli di scrittura illimitati
■ CMOS a bassa potenza
■ tempi di accesso a lettura e scrittura di 70 ns
■ La fonte di energia al litio è disconnessa elettricamente per mantenere la freschezza fino alla prima alimentazione
■ Intervallo di funzionamento VCC completo ±10% (DS1245Y)
■ gamma di funzionamento VCC opzionale ± 5% (DS1245AB)
■ gamma di temperature industriali opzionali da -40°C a +85°C, denominata IND
■ pacchetto DIP standard JEDEC a 32 pin
■ pacchetto PowerCap Module (PCM)
- Modulo montato direttamente in superficie
- La PowerCap sostitutiva fornisce una batteria di riserva al litio
- Pinout standardizzato per tutti i prodotti SRAM non volatili
#NOME?
Specificità
Attributo | Valore attributivo |
---|---|
Produttore | Maxim integrato |
Categoria di prodotto | IC di memoria |
Serie | DS1245AB |
Imballaggio | Tubo |
Stile di montaggio | Attraverso il buco |
Cassa del pacchetto | Modulo 32DIP (0,600", 15,24 mm) |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interfaccia | Parallelamente |
Fornitore di tensione | 40,75 V ~ 5,25 V |
Confezione del dispositivo del fornitore | 32-EDIP |
Capacità di memoria | 1M (128K x 8) |
Tipo di memoria | NVSRAM (non volatile) |
Velocità | 70 ns |
Tempo di accesso | 70 ns |
Format-memoria | RAM |
Temperatura massima di funzionamento | + 70 C |
Intervallo di temperatura di funzionamento | 0 C |
Corrente di approvvigionamento di esercizio | 85 mA |
Tipo di interfaccia | Parallelamente |
Organizzazione | 128 k x 8 |
Parte-#-Alias | 90-1245A+B70 DS1245AB |
Ampiezza del bus dati | 8 bit |
tensione di alimentazione massima | 5.25 V |
tensione di alimentazione-min | 4.75 V |
Cassa del pacchetto | EDIP-32 |
Parte del fabbricante | Descrizione | Produttore | Confronta |
DS1245Y-70+ Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme alla normativa ROHS, DIP-32 | Prodotti integrati Maxim | DS1245AB-70+ contro DS1245Y-70+ |
DS1245AB-70IND Memoria |
Modulo SRAM non volatile 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 INCH, modulo esteso, DIP-32 | Rochester Electronics LLC | DS1245AB-70+ contro DS1245AB-70IND |
DS1245Y-70IND Memoria |
Modulo SRAM non volatile 128KX8, 70ns, DMA32, 0,740 INCH, modulo esteso, DIP-32 | Rochester Electronics LLC | DS1245AB-70+ contro DS1245Y-70IND |
M48Z128Y-70PM1 Memoria |
Modulo SRAM non volatile 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 | STMicroelettronica | DS1245AB-70+ contro M48Z128Y-70PM1 |
DS1245Y-70 Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, modulo esteso, DIP-32 | Prodotti integrati Maxim | DS1245AB-70+ contro DS1245Y-70 |
DS1245AB-70 Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Dallas Semiconductor | DS1245AB-70+ contro DS1245AB-70 |
DS1245Y-70IND+ Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme alla normativa ROHS, DIP-32 | Prodotti integrati Maxim | DS1245AB-70+ contro DS1245Y-70IND+ |
DS1245AB-70IND+ Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, conforme alla normativa ROHS, DIP-32 | Prodotti integrati Maxim | DS1245AB-70+ contro DS1245AB-70IND+ |
M48Z128-70PM1 Memoria |
Modulo SRAM non volatile 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 | STMicroelettronica | DS1245AB-70+ contro M48Z128-70PM1 |
Descrizioni
NVSRAM (Non Volatile SRAM) Memoria IC 1Mb (128K x 8) Parallela 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM Non volatile
Prodotti raccomandati