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AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.

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xDettagli
Tipo di memoria | Volatile | Formato di memoria | DRAM |
---|---|---|---|
Tecnologia | SDRAM-DDR | Capacità di memoria | 256Mbit |
Organizzazione di memoria | 16M x 16 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
Frequenza di clock | 200 MHz | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 15ns |
Tempo di Access | 700 ps | Voltaggio - Fornitura | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Confezione / Cassa | 60-TFBGA | Confezione del dispositivo del fornitore | 60-TFBGA (8x13) |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number | Description | |
---|---|---|
AS4C16M16D1-5BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C64M8D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
AS4C8M16D1-5BIN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C16M16D1-5BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C32M16D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C8M16D1-5BCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C8M16D1-5BINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C8M16D1-5BCN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C16M16D1-5BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C32M16D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
AS4C64M8D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
AS4C16M16D1-5BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C64M8D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
AS4C64M8D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
AS4C32M16D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
AS4C32M16D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
IS46R16160F-5BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320F-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400F-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320F-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46R16160F-5BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400F-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320F-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400F-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46R16320E-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46R16320E-5BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46R16320E-5BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46R16320E-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46R16320E-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46R16320E-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
W9425G6JB-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
W9425G6JB-5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
W9425G6JB-5 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
W9425G6JB-5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400E-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400E-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400E-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400E-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16160D-6BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320D-6BI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-6BI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16160D-6BI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320D-6BI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R16320E-6BI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43R86400E-5BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43R16320E-5BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43R86400D-5B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43R86400D-6BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43R16160F-5BI | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Caratteristiche
• Organizzazione: 1,048,576 parole × 4 bit• Alta velocità
- 40/50/60/70 ns tempo di accesso al RAS
- 20/25/30/35 ns tempo di accesso all'indirizzo della colonna
- 10/13/15/18 ns tempo di accesso CAS
• Basso consumo energetico
- Attivo: 385 mW max (-60)
- Standby: 5,5 mW max, CMOS I/O
• modalità di pagina veloce (AS4C14400) o EDO (AS4C14405)
• 1024 cicli di aggiornamento, intervallo di aggiornamento di 16 ms
- Aggiornamento solo RAS o CAS prima RAS
• Leggere-modificare-scrivere
• I/O a tre stati compatibili con TTL
• pacchetti standard JEDEC
- 300 mil, 20/26 pin SOJ
- 300 mil, 20/26 pin TSOP
• Fornitore di alimentazione singolo a 5 V
• Protezione ESD ≥ 2001V
• Corrente di chiusura ≥ 200 mA
Specificità
Attributo | Valore attributivo |
---|---|
Produttore | Alliance Memory, Inc. |
Categoria di prodotto | IC di memoria |
Serie | AS4C16M16D1 |
Tipo | DDR1 |
Imballaggio | Imballaggio alternativo del vassoio |
Stile di montaggio | SMD/SMT |
Cassa del pacchetto | 60-TFBGA |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interfaccia | Parallelamente |
Fornitore di tensione | 2.3 V ~ 2,7 V |
Confezione del dispositivo del fornitore | 60-TFBGA (13x8) |
Capacità di memoria | 256M (16M x 16) |
Tipo di memoria | DDR SDRAM |
Velocità | 200 MHz |
Tempo di accesso | 0.7 ns |
Format-memoria | RAM |
Temperatura massima di funzionamento | + 70 C |
Intervallo di temperatura di funzionamento | 0 C |
Organizzazione | 16 M x 16 |
Fornitura-corrente-massimo | 135 mA |
Ampiezza del bus dati | 16 bit |
tensione di alimentazione massima | 2.7 V |
tensione di alimentazione-min | 2.3 V |
Cassa del pacchetto | TFBGA-60 |
Frequenza massima dell'orologio | 200 MHz |
Descrizioni
SDRAM - Memoria DDR IC 256Mb (16M x 16) parallela 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
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