AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.

Marca Alliance Memory, Inc.
Numero di modello AS4C16M16D1-5BCN
Quantità di ordine minimo 1
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM-DDR Capacità di memoria 256Mbit
Organizzazione di memoria 16M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 200 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 700 ps Voltaggio - Fornitura 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 60-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 60-TFBGA (8x13)
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Part Number Description
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C8M16D1-5BIN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BIN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
AS4C64M8D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C16M16D1-5BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
IS46R16160F-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16320E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-5B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-6BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16160F-5BI IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Caratteristiche

• Organizzazione: 1,048,576 parole × 4 bit
• Alta velocità
- 40/50/60/70 ns tempo di accesso al RAS
- 20/25/30/35 ns tempo di accesso all'indirizzo della colonna
- 10/13/15/18 ns tempo di accesso CAS
• Basso consumo energetico
- Attivo: 385 mW max (-60)
- Standby: 5,5 mW max, CMOS I/O
• modalità di pagina veloce (AS4C14400) o EDO (AS4C14405)
• 1024 cicli di aggiornamento, intervallo di aggiornamento di 16 ms
- Aggiornamento solo RAS o CAS prima RAS
• Leggere-modificare-scrivere
• I/O a tre stati compatibili con TTL
• pacchetti standard JEDEC
- 300 mil, 20/26 pin SOJ
- 300 mil, 20/26 pin TSOP
• Fornitore di alimentazione singolo a 5 V
• Protezione ESD ≥ 2001V
• Corrente di chiusura ≥ 200 mA

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Alliance Memory, Inc.
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie AS4C16M16D1
Tipo DDR1
Imballaggio Imballaggio alternativo del vassoio
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto 60-TFBGA
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 2.3 V ~ 2,7 V
Confezione del dispositivo del fornitore 60-TFBGA (13x8)
Capacità di memoria 256M (16M x 16)
Tipo di memoria DDR SDRAM
Velocità 200 MHz
Tempo di accesso 0.7 ns
Format-memoria RAM
Temperatura massima di funzionamento + 70 C
Intervallo di temperatura di funzionamento 0 C
Organizzazione 16 M x 16
Fornitura-corrente-massimo 135 mA
Ampiezza del bus dati 16 bit
tensione di alimentazione massima 2.7 V
tensione di alimentazione-min 2.3 V
Cassa del pacchetto TFBGA-60
Frequenza massima dell'orologio 200 MHz

Descrizioni

SDRAM - Memoria DDR IC 256Mb (16M x 16) parallela 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1