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La Cina W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics

W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - LPDDR mobile
La Cina MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
La Cina BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Semiconduttore Rohm

BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Semiconduttore Rohm

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd

FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Infineon Technologies

FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Infineon Technologies

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FRAM
Tecnologia: FRAM (RAM ferroelettrico)
La Cina AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Tecnologia dei microchip

AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Tecnologia dei microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EPROM
Tecnologia: EPROM - OTP
La Cina SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Tecnologia a microchip

SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Tecnologia a microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
La Cina DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrato

DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrato

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina 6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.

6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
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