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IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Numero di modello IS42S16320F-7BLI
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM Capacità di memoria 512Mbit
Organizzazione di memoria 32M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 143 megahertz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 5,4 NS Voltaggio - Fornitura 3V ~ 3,6V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 54-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 54-TW-BGA (8x13)
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Part Number Description
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160B-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16800D-6B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-6B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBL IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16160B-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16800D-75EBL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16160B-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320B-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42VM16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320B-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS45S16320B-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Visualizzazione dell'apparecchio

ISSIS 512Mb DRAM sincrona consente il trasferimento di dati ad alta velocità utilizzando l'architettura pipeline.

Caratteristiche

• Frequenza di orologeria: 200, 166, 143 MHz
• Completamente sincronizzato; tutti i segnali sono riferiti a un filo orario positivo
• Banca interna per l'accesso/precarica della fila nascosta
• alimentazione elettrica: Vdd/Vddq = 2,3V-3,6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3,3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5
• Interfaccia LVTTL
• lunghezza di scatto programmabile 1, 2, 4, 8, pagina completa
• Sequenza di scoppio programmabile: Sequenziale/Interleave
• Aggiornamento automatico (CBR)
• Ristruggetevi
• Cicli di aggiornamento 8K ogni 64 ms
• Indirizzo di colonna casuale ogni ciclo di orologio
• latenza CAS programmabile (2, 3 ore)
• Capacità di lettura/scrittura e di lettura/scrittura singola
• Terminare il colpo di scarica tramite comando di arresto e di precarica
• Pacchetti: x8/x16: 54 pin TSOP-II, 54 sfere TF-BGA (solo x16) x32: 90 sfere TF-BGA
• Intervallo di temperatura: Commerciale (0oC a +70oC) Industriale (-40oC a +85oC) Automotive, A1 (-40oC a +85oC) Automotive, A2 (-40oC a +105oC)

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore ISSI
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Imballaggio alternativo del vassoio
Cassa del pacchetto 54-TFBGA
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 3 V ~ 3,6 V
Confezione del dispositivo del fornitore 54-TWBGA (13x8)
Capacità di memoria 512M (32M x 16)
Tipo di memoria SDRAM
Velocità 143 MHz
Format-memoria RAM

Descrizioni

Memoria SDRAM IC 512Mb (32M x 16) parallela 143MHz 5.4ns 54-TWBGA (13x8)
Chip DRAM SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54 pin TW-BGA
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 palle BGA (8mmx13mm), RoHS, IT
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI