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La Cina CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLELO 44SOJ Infineon Technologies

CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLELO 44SOJ Infineon Technologies

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Germany GmbH

AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Germany GmbH

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
La Cina 93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Tecnologia dei microchip

93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Tecnologia dei microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1 GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1 GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
La Cina MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
La Cina 7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLELO SB48 Renesas Electronics America Inc

7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLELO SB48 Renesas Electronics America Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - doppia porta, asincrona
La Cina AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.

AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
La Cina 71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina 24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Tecnologia dei microchip

24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Tecnologia dei microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Semiconduttore Rohm

BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Semiconduttore Rohm

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
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