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La Cina BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ Semiconduttore Rohm

BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ Semiconduttore Rohm

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina 71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.

71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLELA 96FBGA Alliance Memory, Inc.

MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLELA 96FBGA Alliance Memory, Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
La Cina S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Tecnologie Infineon

S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Tecnologie Infineon

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
La Cina BR24T256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Semiconduttore Rohm

BR24T256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Semiconduttore Rohm

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina 71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Renesas Electronics America Inc.

71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semiconductor Corp.

CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semiconductor Corp.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina 71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Renesas Electronics America Inc.

71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM-DDR2
La Cina W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON Elettronica Winbond

W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON Elettronica Winbond

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
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