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71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.

  • 71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc
Marca Renesas Electronics America Inc
Numero di modello 71V416S15YG8
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria SRAM
Tecnologia SRAM - Asincrono Capacità di memoria 4Mbit
Organizzazione di memoria 256K x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock - Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 15 NS Voltaggio - Fornitura 3V ~ 3,6V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 44-BSOJ (0,400", larghezza di 10.16mm) Confezione del dispositivo del fornitore 44-SOJ
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
71V416S12YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
71016S12YG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
71016S15YG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
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IDT71V416S15YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416S20PH IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VL12Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VL12Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VL15Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VL15Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VS10Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VS10Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VS15Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VS15Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VS15YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VS15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416VS15YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IDT71V416YL10Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
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IDT71V416YS10Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
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71V416L10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

L'IDT71V416 e' un 4,194Una RAM statica ad alta velocità a 304 bit organizzata in 256K x 16 è realizzata utilizzando una tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità.combinato con tecniche innovative di progettazione dei circuiti, offre una soluzione conveniente per le esigenze di memoria ad alta velocità.
L'IDT71V416 ha un pin di output che funziona fino a 5ns, con tempi di accesso agli indirizzi fino a 10ns.Tutti gli ingressi e le uscite bidirezionali dell'IDT71V416 sono compatibili con LVTTL e il funzionamento è da un singolo 3.3V. Sono utilizzati circuiti completamente statici e asincroni, che non richiedono orologi o aggiornamenti per funzionare.

Caratteristiche

◆ 256K x 16 RAM CMOS statica avanzata ad alta velocità
◆ JEDEC Center Power / GND pinout per ridurre il rumore.
◆ Equità di accesso e di tempo di ciclo
Commerciale e industriale: 10/12/15ns
◆ Un chip Select più un pin Output Enable
◆ Input e uscite bidirezionali di dati direttamente compatibili con LVTTL
◆ Basso consumo di energia tramite disselezione del chip
◆ Pini abilitanti per byte superiore e inferiore
◆ Fornitore di corrente unico da 3,3 V
◆ Disponibile in un pacchetto di SOJ in plastica da 44 pin e 400 millimetri e in un pacchetto TSOP di tipo II da 44 pin e 400 millimetri e in un pacchetto a griglia a 48 sfere di 9 mm x 9 mm.

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Sistemi di circuiti integrati
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie 71V416S15
Tipo Asincrono
Imballaggio Imballaggio alternativo
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm di larghezza)
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 3 V ~ 3,6 V
Confezione del dispositivo del fornitore 44-SOJ
Capacità di memoria 4M (256K x 16)
Tipo di memoria SRAM - Asincrono
Velocità 15 ns
Tempo di accesso 15 ns
Format-memoria RAM
Temperatura massima di funzionamento + 70 C
Intervallo di temperatura di funzionamento 0 C
Tipo di interfaccia Parallelamente
Organizzazione 256 k x 16
Fornitura-corrente-massimo 170 mA
Parte-#-Alias 71V416 IDT71V416S15YG8
tensione di alimentazione massima 3.6 V
tensione di alimentazione-min 3 V
Cassa del pacchetto SOJ-44
Componente funzionale compatibileForma, confezione, componente funzionale compatibile
Parte del fabbricante Descrizione Produttore Confronta
71V416S15YG
Memoria		 SOJ-44, tubo Integrated Device Technology Inc. 71V416S15YG8 contro 71V416S15YG
71V416S15YGI8
Memoria		 SOJ-44, bobina Integrated Device Technology Inc. 71V416S15YG8 contro 71V416S15YGI8
CY7C1041BNV33-15VXI
Memoria		 256KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0,400 INCH, senza piombo, SOJ-44 Rochester Electronics LLC 71V416S15YG8 contro CY7C1041BNV33-15VXI
CY7C1041CV33-15VXC
Memoria		 256KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0,400 INCH, senza piombo, SOJ-44 Rochester Electronics LLC 71V416S15YG8 contro CY7C1041CV33-15VXC
71V416S15YGI
Memoria		 SOJ-44, tubo Integrated Device Technology Inc. 71V416S15YG8 contro 71V416S15YGI
AS7C34098A-15JI
Memoria		 SRAM standard, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, SOJ-44 Alliance Memory Inc. 71V416S15YG8 contro AS7C34098A-15JI
AS7C34098A-15JIN
Memoria		 SRAM standard, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, senza piombo, SOJ-44 Alliance Memory Inc. 71V416S15YG8 contro AS7C34098A-15JIN
AS7C34098A-15JCN
Memoria		 SRAM standard, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, senza piombo, SOJ-44 Alliance Memory Inc. 71V416S15YG8 contro AS7C34098A-15JCN
IDT71V416S15YGI
Memoria		 SRAM standard, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 Integrated Device Technology Inc. 71V416S15YG8 contro IDT71V416S15YGI
IDT71V416S15YG
Memoria		 SRAM standard, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 Integrated Device Technology Inc. 71V416S15YG8 contro IDT71V416S15YG

Descrizioni

SRAM - Memoria asincrona IC 4Mb (256K x 16) parallela 15ns 44-SOJ
SRAM 256Kx16 ASINCRONA 3,3V CMOS SRAM
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI