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La Cina 70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP Renesas Electronics America Inc.

70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - doppia porta, sincrona
La Cina IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
La Cina S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semiconductor Corp.

S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semiconductor Corp.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
La Cina MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM-DDR2
La Cina W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electronics

W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electronics

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
La Cina W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Electronics

W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Electronics

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
La Cina CY62128ELL-45SXIT CI SRAM 1MBIT PARALLELO 32SOIC Infineon Technologies

CY62128ELL-45SXIT CI SRAM 1MBIT PARALLELO 32SOIC Infineon Technologies

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC su semi

CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC su semi

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina 7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Renesas Electronics America Inc.

7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - doppia porta, asincrona
La Cina AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Tecnologia dei microchip

AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Tecnologia dei microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EPROM
Tecnologia: EPROM - OTP
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