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La Cina 70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA Renesas Electronics America Inc

70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA Renesas Electronics America Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - doppia porta, sincrona
La Cina SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnologia a microchip

SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnologia a microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
La Cina W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Electronics

W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Electronics

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
La Cina CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semiconductor Corp.

CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semiconductor Corp.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Sincrono, DSR
La Cina MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLELO 48TSOP I Micron Technology Inc.

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLELO 48TSOP I Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
La Cina MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
La Cina CY62147EV18LL-55BVXI CI SRAM 4MBIT PARALLELO 48VFBGA Infineon Technologies

CY62147EV18LL-55BVXI CI SRAM 4MBIT PARALLELO 48VFBGA Infineon Technologies

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Electronics

W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Electronics

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
La Cina MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4 GBIT 2.133 GHZ WFBGA Micron Technology Inc.

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4 GBIT 2.133 GHZ WFBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - LPDDR4 mobile
La Cina MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLELO 48TSOP I Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLELO 48TSOP I Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
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