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W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics

  • W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics
Marca Winbond Electronics
Numero di modello W949D6DBHX5I
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
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Tempi di consegna 3-5 giorni lavorativi
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - LPDDR mobile Capacità di memoria 512Mbit
Organizzazione di memoria 32M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 200 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 5 NS Voltaggio - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 60-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 60-VFBGA (8x9)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W948D6KBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-75:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W948D6FBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5I IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5J IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione generale

W9425G6DH è una memoria di accesso casuale sincrona dinamica a doppia velocità di dati CMOS (DDR SDRAM), organizzata come 4,194Utilizzando un'architettura pipeline e una tecnologia di processo da 0,11 μm, W9425G6DH offre una larghezza di banda di dati fino a 500M parole al secondo (-4).Per essere pienamente conformi allo standard industriale del personal computer, W9425G6DH è classificato in quattro gradi di velocità: -4, -5, -6 e -75. Il -4 è conforme alla specifica DDR500/CL3. Il -5 è conforme alla specifica DDR400/CL3.Il -6 è conforme alla DDR333/CL2.5 (il grado -6I che è garantito per supportare -40 °C ~ 85 °C). Il -75 è conforme alla specifica DDR266/CL2 (il grado 75I che è garantito per supportare -40 °C ~ 85 °C).

Caratteristiche

• Fornitura di alimentazione 2.5V ± 0,2V per DDR266/DDR333
• Fornitura di alimentazione da 2,6 V ± 0,1 V per DDR400/DDR500
• Fino a 250 MHz Frequenza di orologeria
• Architettura a doppio tasso di trasmissione dati; due trasferimenti di dati per ciclo di orologeria
• Input di orologeria differenziale (CLK e CLK)
• DQS è allineato ai bordi con i dati per Read; allineato al centro con i dati per Write
• CAS latency: 2, 2,5 e 3
• Lunghezza di scatto: 2, 4 e 8
• Auto-Rifresh e auto-refresh
• Disattivazione di carica e disattivazione attiva
• Scrivere la maschera dei dati
• Scrivere latenza = 1
• Intervallo di aggiornamento di 7,8 μS (8K / 64 mS di aggiornamento)
• Ciclo massimo di aggiornamento: 8
• Interfaccia: SSTL_2
• Confezionato in TSOP II 66-pin, 400 mil, 0,65 mm di passo, senza Pb e conforme alla RoHS

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Winbond Electronics
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Imballaggio alternativo del vassoio
Cassa del pacchetto 60-TFBGA
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 10,7 V ~ 1,95 V
Confezione del dispositivo del fornitore 60-VFBGA (8x9)
Capacità di memoria 512M (32M x 16)
Tipo di memoria SDRAM LPDDR mobile
Velocità 200 MHz
Format-memoria RAM

Descrizioni

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) parallelo 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI