W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLELO 48TSOP Winbond Electronics

Descrizione generale

Il W29C040 è una memoria flash a pagina CMOS da 4 megabit e 5 volt organizzata in 512K ́8 bit.Non è richiesto un VPP da 12 voltL'architettura unica della cella del W29C040 si traduce in operazioni di scrittura (cancellazione/programmazione) veloci con un consumo di corrente estremamente basso (rispetto ad altri prodotti di memoria flash di 5 volt comparabili).) Il dispositivo può anche essere cancellato e programmato utilizzando programmatori EPROM standard.

Caratteristiche

· Operazioni di scrittura (cancellazione e programmazione) singole a 5 volt
· Operazioni di scrittura veloci
- 256 byte per pagina
- Ciclo di scrittura (cancellazione/programmazione) di una pagina: 5 ms (tipico)
- Tempo effettivo di ciclo byte-scrizione (cancella/programma): 19,5 mS
- Scrittura opzionale dei dati protetti da software
· Operazione di cancellazione rapida dei chip: 50 mS
· Due blocchi di avvio da 16 KB con blocco
· Cicli di scrittura (cancellazione/programmazione) di pagine: 50K (in genere)
· Tempo di accesso di lettura: 70/90/120 nS
· conservazione dei dati per dieci anni
· protezione dei dati software e hardware
· Basso consumo energetico
- Corrente attiva: 25 mA (tipico)
- Corrente in standby: 20 mA (tipico)
·Tempo di scrittura automatica (cancella/programma) con generazione interna di VPP
· rilevamento della fine della scrittura (cancellazione/programma)
- Un po'di toggle.
- Data polling
· Indirizzo e dati bloccati
· Tutti gli ingressi e le uscite sono direttamente compatibili con TTL
· Pinout standard JEDEC a byte-wide
· Pacchetti disponibili: DIP, TSOP e PLCC a 32 pin 600 mil