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70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc

  • 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc
Marca Renesas Electronics America Inc
Numero di modello 70V657S10DRG
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
Tempi di consegna 3-5 giorni lavorativi
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria SRAM
Tecnologia SRAM - doppia porta, asincrona Capacità di memoria 1.125Mbit
Organizzazione di memoria 32K x 36 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock - Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 10ns
Tempo di Access 10 ns Voltaggio - Fornitura 3,15 V ~ 3,45 V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 208-BFQFP Confezione del dispositivo del fornitore 208-PQFP (28x28)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T651S10DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S15DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S4DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DRI IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S6DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3579S4DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S6DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S133DRI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S15DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S15DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V7599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DRGI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DRG8 IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

L'IDT70V659/58/57 è una RAM statica a alta velocità 128/64/32K x 36 Asincrona a doppia porta.L'IDT70V659/58/57 è progettato per essere utilizzato come RAM a doppia porta 4/2/1Mbit stand-alone o come RAM a doppia porta combinata MASTER/SLAVE per sistemi di parole a 72 bit o piùL'utilizzo dell'approccio IDT MASTERSLAVE Dual-Port RAM in applicazioni di sistemi di memoria a 72 bit o più ampi si traduce in un funzionamento a piena velocità e privo di errori senza la necessità di ulteriori logiche discrete.

Caratteristiche

◆ Le vere celle di memoria a doppia porta che consentono l'accesso simultaneo alla stessa posizione di memoria
◆ Accesso ad alta velocità
¢ Commerciale: 10/12/15ns (massimo.)
¢ Industriale: 12/15ns (massimo)
◆ doppio chip consente di espandere la profondità senza logica esterna
◆ IDT70V659/58/57 amplia facilmente la larghezza del bus dati a 72 bit o più utilizzando la selezione Master/Slave quando si utilizza più di un dispositivo in cascata
◆ M/S = VIH per BUSY output flag su Master, M/S = VIL per BUSY input su Slave
◆ bandiere occupate e interrotte
◆ Logica di arbitrato delle porte su chip
◆ Supporto hardware integrato completo della segnalazione semafora tra porte
◆ Funzionamento completamente asincrono da entrambe le porte
◆ Controlli di byte separati per la compatibilità tra bus multiplexed e bus matching
◆ Supporta le funzionalità JTAG conformi a IEEE 1149.1
◆ Fornitore di alimentazione LVTTL compatibile, singolo 3.3V (± 150mV) per il nucleo
◆ Fornitore di corrente selezionabile, compatibile con LVTTL, da 3,3 V (± 150 mV) /2,5 V (± 100 mV) per I/O e segnali di controllo su ciascuna porta
◆ Disponibile in un Flatpack Quad di plastica da 208 pin, in un Ball Grid Array da 208 palle e in un Ball Grid Array da 256 palle
◆ La gamma di temperature industriali (da 40°C a +85°C) è disponibile per determinate velocità

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Sistemi di circuiti integrati
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie 70V657
Tipo Asincrono
Imballaggio Scaffale
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto 208-BFQFP
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 3.15 V ~ 3.45 V
Confezione del dispositivo del fornitore 208-PQFP (28x28)
Capacità di memoria 1.125M (32K x 36)
Tipo di memoria SRAM - doppia porta, asincrona
Velocità 10ns
Tempo di accesso 10 ns
Format-memoria RAM
Temperatura massima di funzionamento + 70 C
Intervallo di temperatura di funzionamento 0 C
Tipo di interfaccia Parallelamente
Organizzazione 32 k x 36
Fornitura-corrente-massimo 500 mA
Parte-#-Alias 70V657 IDT70V657S10DRG
tensione di alimentazione massima 3.45 V
tensione di alimentazione-min 3.15 V
Cassa del pacchetto PQFP-208
Componente funzionale compatibileForma, confezione, componente funzionale compatibile
Parte del fabbricante Descrizione Produttore Confronta
IDT70V657S10BFG
Memoria		 Doppia porta SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM ALTEZA, 0,80 MM PITCH, VERDE, FPBGA-208 Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro IDT70V657S10BFG
70V657S10BFG
Memoria		 CABGA-208, vassoio Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro 70V657S10BFG
70V657S10BFG8
Memoria		 CABGA-208, bobina Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro 70V657S10BFG8
IDT70V657S10BFG8
Memoria		 Doppia porta SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM ALTA, 0,80 MM PITCH, FPBGA-208 Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro IDT70V657S10BFG8
70V657S10BC
Memoria		 CABGA-256, vassoio Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro 70V657S10BC
IDT70V657S10DRG
Memoria		 Doppia porta SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, altezza 3,50 MM, VERDE, PLASTICO, QFP-208 Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro IDT70V657S10DRG
IDT70V657S10BCG
Memoria		 Doppia porta SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM ALTitudine, 1 MM PITCH, VERDE, BGA-256 Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro IDT70V657S10BCG
70V657S10BCG
Memoria		 CABGA-256, vassoio Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro 70V657S10BCG
IDT70V657S10BC
Memoria		 Doppia porta SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM ALTitudine, 1 MM PITCH, BGA-256 Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro IDT70V657S10BC
70V657S10BCG8
Memoria		 Doppia porta SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM ALTitudine, 1 MM PITCH, BGA-256 Integrated Device Technology Inc. 70V657S10DRG contro 70V657S10BCG8

Descrizioni

SRAM - doppia porta, memoria asincrona IC 1.125Mb (32K x 36) parallelo 10ns 208-PQFP (28x28)
SRAM 32K X 36 ASYNC DP RAM
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI