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La Cina MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
La Cina Tecnologia microchip SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC

Tecnologia microchip SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
La Cina M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMicroelettronica

M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMicroelettronica

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina CY7C1464AV33-167BGI CI SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp

CY7C1464AV33-167BGI CI SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Sincrono, DSR
La Cina W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond Electronics

W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond Electronics

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - LPDDR mobile
La Cina NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC su semi

NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC su semi

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina MT29C4G48MAZBBAKB-48 RAM FLASH IC IT 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.

MT29C4G48MAZBBAKB-48 RAM FLASH IC IT 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Non volatile, volatile
Formato di memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: Flash - NAND, LPDRAM mobile
La Cina IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM-DDR
La Cina MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.

MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
La Cina MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP Macronix

MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP Macronix

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
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