MT29C4G48MAZBBAKB-48 RAM FLASH IC IT 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.

Marca Micron Technology Inc.
Numero di modello MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M
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Dettagli
Tipo di memoria Non volatile, volatile Formato di memoria FLASH, RAM
Tecnologia Flash - NAND, LPDRAM mobile Capacità di memoria 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDRAM)
Organizzazione di memoria 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 208 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access - Voltaggio - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 168-WFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 168-WFBGA (12x12)
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Part Number Description
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 IT:A IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:A IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-5 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 WT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 IT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 WT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
MT42L16M32D1LG-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDB2432BCPA-8D-F-D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB2432BCPE-8D-F-D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDBA232B2PF-1D-F-D IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA
EDB1332BDPA-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDBA232B2PF-1D-F-R TR IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA
EDB5432BEPA-1DIT-F-R IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione generale

I dispositivi Micron NAND Flash includono un'interfaccia dati asincrona per operazioni di I/O ad alte prestazioni.Ci sono cinque segnali di controllo utilizzati per implementare l'interfaccia dati asincrona: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Segnali aggiuntivi di controllo hardware protezione da scrittura e monitoraggio dello stato del dispositivo (R/B#).
Questa interfaccia hardware crea un dispositivo a basso numero di pin con un pinout standard che rimane lo stesso da una densità all'altra, consentendo futuri aggiornamenti a legami di maggiore densità senza riprogettazione della scheda.
Un target è l'unità di memoria a cui si accede tramite un segnale di attivazione del chip.Un chip NAND Flash è l'unità minima in grado di eseguire autonomamente i comandi e riportare lo stato. Una chip NAND Flash, nella specifica ONFI, è indicata come unità logica (LUN).vedere Organizzazione dei dispositivi e delle matrici.
Questo dispositivo ha un ECC interno a 4 bit che può essere abilitato utilizzando le funzionalità GET/SET.
Per ulteriori informazioni, vedere la mappatura interna dell'ECC e dell'area di riserva dell'ECC.

Caratteristiche

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 conforme1
• Tecnologia delle celle a livello unico (SLC)
• Organizzazione
Dimensione della pagina x8: 2112 byte (2048 + 64 byte)
Dimensione della pagina x16: 1056 parole (1024 + 32 parole)
Dimensione del blocco: 64 pagine (128K + 4K byte)
Dimensione dell'aereo: 2 piani x 2048 blocchi per piano
¢ Dimensione del dispositivo: 4 GB: 4096 blocchi; 8 GB: 8192 blocchi 16 GB: 16.384 blocchi
• prestazioni di I/O asincrone
TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Performance dell'array
¢ Leggere pagina: 25μs 3
Pagina del programma: 200 μs (TYPE: 1,8 V, 3,3 V)
¢ blocco di cancellazione: 700 μs (TYP)
• Set di comandi: ONFI NAND Flash Protocol
• Set di comandi avanzati
¢ Modalità di cache della pagina del programma4
️ Leggere la pagina in modalità cache 4
¢ modalità programmabile una tantum (OTP)
Comandi a due piani 4
¢ Operazioni a strisce interlacciate (LUN)
¢ Leggere l'ID univoco
Blocco di blocco (solo 1,8 V)
¢ Trasferimento dei dati interni
• Lo stato di funzionamento byte fornisce un metodo software per rilevare
¢ completamento dell'operazione
Condizione di passaggio/fallimento
¢ stato protetto da scrittura
• Il segnale Ready/Busy# (R/B#) fornisce un metodo hardware per rilevare il completamento delle operazioni
• Segnale WP#: Scrivere proteggere tutto il dispositivo
• Il primo blocco (indirizzo di blocco 00h) è valido quando viene spedito dalla fabbrica con ECC. Per l'ECC minimo richiesto, vedere Gestione degli errori.
• Il blocco 0 richiede un ECC a 1 bit se i cicli di programmazione/eliminazione sono inferiori a 1000
• RESET (FFh) richiesto come primo comando dopo l'accensione
• Metodo alternativo di inizializzazione del dispositivo (Nand_In it) dopo l'accensione (contact factory)
• Operazioni di trasferimento dei dati interni supportate all'interno del piano da cui vengono letti i dati
• Qualità e affidabilità
Ritenzione dei dati: 10 anni
Durabilità: 100.000 cicli di programmazione/cancellazione
• Intervallo di tensione di funzionamento
- VCC: 2,7 - 3,6 V
VCC: 1,7V1,95V
• Temperatura di funzionamento:
️ Commerciale: da 0°C a +70°C
Industriale (IT): da 40°C a +85°C
• Pacchetto
️ TSOP tipo 1, CPL2 a 48 pin
- 63 palle VFBGA

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Micron Technology Inc.
Categoria di prodotto IC di memoria
Categorie PMIC - Gestione dell'energia - Specializzata
Produttore Diodi incorporati
Serie -
Status della parte L'ultima volta che ho comprato
Applicazioni Controller di riscaldamento
Fornitura di corrente -
Fornitore di tensione 4 V ~ 5,5 V
Temperatura di funzionamento -20°C ~ 85°C (TA)

Descrizioni

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16) ((NAND), 2G (128M x 16) ((LPDRAM) parallelo 208MHz
NAND Flash e PoP LPDDR mobile