Tutti i prodotti
Persona di contatto : Zhao
Numero di telefono : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Numero di modello IS43R16160F-6BLI
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
Tempi di consegna 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento T/T
Capacità di alimentazione In magazzino

Contattimi gratis campioni e buoni.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Se avete di preoccupazione, forniamo la guida in linea di 24 ore.

x
Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM-DDR Capacità di memoria 256Mbit
Organizzazione di memoria 16M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 166 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 700 ps Voltaggio - Fornitura 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 60-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 60-TFBGA (8x13)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
Lasciate un messaggio
Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Caratteristiche

• Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Basse tensioni (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compattibile con 1.5V
• velocità di trasferimento dei dati ad alta velocità con frequenza di sistema fino a 933 MHz
• 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
• Architettura 8n-Bit pre-fetch
• Latenza CAS programmabile
• Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
• Programmabile CAS WRITE latency (CWL) basato su tCK
• Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
• Sequenza di scatto programmabile: sequenziale o interleave
• Interruttore BL in volo
• Autorefrescamento automatico (ASR)
• TEMPERATURA di rinfresco automatico (SRT)
• Intervallo di aggiornamento:
7.8 us (8192 cicli/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Ristrutturazione parziale
• Pin di riattivazione asincrono
• supporto TDQS (Termination Data Strobe) (solo x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• ODT dinamico (terminazione immediata)
• Forza del driver: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Scrivere il livellamento
• Fino a 200 MHz in modalità spenta DLL
• Temperatura di funzionamento:
Commerciale (TC = 0°C a +95°C)
Industria (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore ISSI
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Imballaggio alternativo del vassoio
Cassa del pacchetto 60-TFBGA
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 2.3 V ~ 2,7 V
Confezione del dispositivo del fornitore 60-TFBGA (8x13)
Capacità di memoria 256M (16M x 16)
Tipo di memoria DDR SDRAM
Velocità 166 MHz
Format-memoria RAM

Descrizioni

SDRAM - Memoria DDR IC 256Mb (16M x 16) parallelo 166MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI