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MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

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xDettagli
Tipo di memoria | Non volatile | Formato di memoria | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH - NAND | Capacità di memoria | 4Gbit |
Organizzazione di memoria | 512M x 8 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
Frequenza di clock | - | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | - |
Tempo di Access | - | Voltaggio - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Confezione / Cassa | 63-VFBGA | Confezione del dispositivo del fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-IT:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABAEAH4:E TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABAEAH4:E | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4:C | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-IT:C | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-S:C | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-E:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4:C TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AT:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Descrizione generale
I dispositivi Micron NAND Flash includono un'interfaccia dati asincrona per operazioni di I/O ad alte prestazioni.Ci sono cinque segnali di controllo utilizzati per implementare l'interfaccia dati asincrona: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Segnali aggiuntivi di controllo hardware protezione da scrittura e monitoraggio dello stato del dispositivo (R/B#).Questa interfaccia hardware crea un dispositivo a basso numero di pin con un pinout standard che rimane lo stesso da una densità all'altra, consentendo futuri aggiornamenti a legami di maggiore densità senza riprogettazione della scheda.
Un target è l'unità di memoria a cui si accede tramite un segnale di attivazione del chip.Un chip NAND Flash è l'unità minima in grado di eseguire autonomamente i comandi e riportare lo stato. Una chip NAND Flash, nella specifica ONFI, è indicata come unità logica (LUN).vedere Organizzazione dei dispositivi e delle matrici.
Questo dispositivo ha un ECC interno a 4 bit che può essere abilitato utilizzando le funzionalità GET/SET.
Per ulteriori informazioni, vedere la mappatura interna dell'ECC e dell'area di riserva dell'ECC.
Caratteristiche
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 conforme1• Tecnologia delle celle a livello unico (SLC)
• Organizzazione
Dimensione della pagina x8: 2112 byte (2048 + 64 byte)
Dimensione della pagina x16: 1056 parole (1024 + 32 parole)
Dimensione del blocco: 64 pagine (128K + 4K byte)
Dimensione dell'aereo: 2 piani x 2048 blocchi per piano
¢ Dimensione del dispositivo: 4 GB: 4096 blocchi; 8 GB: 8192 blocchi 16 GB: 16.384 blocchi
• prestazioni di I/O asincrone
TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Performance dell'array
¢ Leggere pagina: 25μs 3
Pagina del programma: 200 μs (TYPE: 1,8 V, 3,3 V)
¢ blocco di cancellazione: 700 μs (TYP)
• Set di comandi: ONFI NAND Flash Protocol
• Set di comandi avanzati
¢ Modalità di cache della pagina del programma4
️ Leggere la pagina in modalità cache 4
¢ modalità programmabile una tantum (OTP)
Comandi a due piani 4
¢ Operazioni a strisce interlacciate (LUN)
¢ Leggere l'ID univoco
Blocco di blocco (solo 1,8 V)
¢ Trasferimento dei dati interni
• Lo stato di funzionamento byte fornisce un metodo software per rilevare
¢ completamento dell'operazione
Condizione di passaggio/fallimento
¢ stato protetto da scrittura
• Il segnale Ready/Busy# (R/B#) fornisce un metodo hardware per rilevare il completamento delle operazioni
• Segnale WP#: Scrivere proteggere tutto il dispositivo
• Il primo blocco (indirizzo di blocco 00h) è valido quando viene spedito dalla fabbrica con ECC. Per l'ECC minimo richiesto, vedere Gestione degli errori.
• Il blocco 0 richiede un ECC a 1 bit se i cicli di programmazione/eliminazione sono inferiori a 1000
• RESET (FFh) richiesto come primo comando dopo l'accensione
• Metodo alternativo di inizializzazione del dispositivo (Nand_In it) dopo l'accensione (contact factory)
• Operazioni di trasferimento dei dati interni supportate all'interno del piano da cui vengono letti i dati
• Qualità e affidabilità
Ritenzione dei dati: 10 anni
Durabilità: 100.000 cicli di programmazione/cancellazione
• Intervallo di tensione di funzionamento
- VCC: 2,7 - 3,6 V
VCC: 1,7V1,95V
• Temperatura di funzionamento:
️ Commerciale: da 0°C a +70°C
Industriale (IT): da 40°C a +85°C
• Pacchetto
️ TSOP tipo 1, CPL2 a 48 pin
- 63 palle VFBGA
Specificità
Attributo | Valore attributivo |
---|---|
Produttore | Micron Technology Inc. |
Categoria di prodotto | IC di memoria |
Serie | - |
Imballaggio | Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR) |
Cassa del pacchetto | 63-VFBGA |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Interfaccia | Parallelamente |
Fornitore di tensione | 2.7 V ~ 3.6 V |
Confezione del dispositivo del fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Capacità di memoria | 4G (512M x 8) |
Tipo di memoria | Flash - NAND |
Velocità | - |
Format-memoria | Flash |
Descrizioni
Flash - IC di memoria NAND 4Gb (512M x 8) parallelo 63-VFBGA (9x11)
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