MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLELA 144FBGA Micron Technology Inc.

Descrizione generale

The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. La RLDRAM non richiede il multiplexing degli indirizzi riga/colonna ed è ottimizzata per un accesso casuale rapido e una larghezza di banda ad alta velocità.
La RLDRAM è progettata per archivi di dati di comunicazione come i buffer di trasmissione o ricezione nei sistemi di telecomunicazione, nonché applicazioni di cache di dati o istruzioni che richiedono grandi quantità di memoria.

Caratteristiche

• 2.5V VEXT, 1.8V VDD, 1.8V VDDQ I/O
• Indirizzamento ciclico per la massima larghezza di banda di distribuzione dei dati
• Indirizzi non multiplezzati
• Rompimento sequenziale non interrompibile di due (2-bit)
prefetch) e quattro (4-bit prefetch) DDR
• Velocità di trasmissione di dati di 600 Mb/s/p
• Programmabile di lettura di latenza (RL) di 5-8
• Segnale valido dei dati (DVLD) attivato quando i dati di lettura sono disponibili
• Segnali di maschera dati (DM0/DM1) per mascherare prima e
Seconda parte della registrazione dei dati
• Scansione dei confini JTAG conforme alla norma IEEE 1149.1
• Fornitura di I/O pseudo-HSTL 1.8V
• Precarica automatica interna
• Requisiti di aggiornamento: 32 ms a 100°C
temperatura (8K di aggiornamento per ogni banca, 64K di aggiornamento
il comando deve essere emesso in totale ogni 32 ms)