Tutti i prodotti
Persona di contatto : Zhao
Numero di telefono : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLELA 78FBGA Micron Technology Inc.

  • MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Numero di modello MT41K256M8DA-125: K
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
Tempi di consegna 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento T/T
Capacità di alimentazione In magazzino

Contattimi gratis campioni e buoni.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Se avete di preoccupazione, forniamo la guida in linea di 24 ore.

x
Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR3L Capacità di memoria 2Gbit
Organizzazione di memoria 256M x 8 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 800 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 13,75 NS Voltaggio - Fornitura 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 78-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 78-FBGA (8x10.5)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:P IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:M IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-15E:M IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N TR IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
Lasciate un messaggio
Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

[MCL]

Amplificatore CW TWT LAB

Per le prove radar, EMC ed EW

L'amplificatore a banda larga MT4100 è basato sull'architettura MT4000 TWT.

Con un design modulare, un packaging compatto ed efficiente, l'MT4100 mostrerà un'affidabilità insuperabile.

Le caratteristiche:

Ampie capacità diagnostiche
Progettazione termica avanzata
Dimensioni compatte
Frigorimento mediante condotti
Operazione silenziosa

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Micron Technology Inc.
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Imballaggio alternativo del vassoio
Cassa del pacchetto 78-TFBGA
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 95°C (TC)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 1.283 V ~ 1.45 V
Confezione del dispositivo del fornitore 78-FBGA (8x10.5)
Capacità di memoria 2G (256M x 8)
Tipo di memoria DDR3L SDRAM
Velocità 800 MHz
Format-memoria RAM
Mfr Micron Technology Inc.
Pacco Scaffale
Status del prodotto Attivo
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di orologeria 800 MHz
Scrivere-ciclo-tempo-parola-pagina -
Tempo di accesso 13,75 ns
Fornitore di tensione 1,283 V ~ 1,45 V
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Cassa del pacchetto 78-TFBGA
Numero del prodotto di base MT4117M8

Componente funzionale compatibile

Forma, confezione, componente funzionale compatibile

Parte del fabbricante Descrizione Produttore Confronta
H5TQ2G83CFR-H9C
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE e ROHS COMPATENT, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K contro H5TQ2G83CFR-H9C
MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, senza piombo, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-125IT:K
H5TQ2G83FFR-PBC
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83FFR-PBC
H5TQ2G83CFR-PBC
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE e ROHS COMPATENT, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83CFR-PBC
H5TC2G83CFR-PBA
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE e ROHS COMPATENT, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2
MT2M2M2M2M2M2M2M2
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, senza piombo, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-125:M
MT4205M2M2M2M2
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM ALTEzza, senza piombo, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-107:K
H5TQ2G83DFR-RDC
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, senza alogene e conforme alla normativa ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-RDC
H5TQ2G83EFR-PBC
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, senza alogene e conforme alla normativa ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83EFR-PBC
H5TQ2G83DFR-PBC
Memoria		 DDR DRAM, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, senza alogene e conforme alla normativa ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-PBC

Descrizioni

SDRAM - DDR3L Memoria IC 2Gb (256M x 8) parallela a 800MHz 13,75ns 78-FBGA (8x10.5)
Chip DRAM DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78 pin FBGA
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI