71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.

Marca Renesas Electronics America Inc
Numero di modello 71V424S10YG8
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria SRAM
Tecnologia SRAM - Asincrono Capacità di memoria 4Mbit
Organizzazione di memoria 512K x 8 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock - Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 10ns
Tempo di Access 10 ns Voltaggio - Fornitura 3V ~ 3,6V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 36-BSOJ (0,400", larghezza di 10.16mm) Confezione del dispositivo del fornitore 36-SOJ
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Part Number Description
71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S10YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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IS61LV5128AL-10K-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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71V424S10YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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71V424S12YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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71V424S15YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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IDT71V424S15YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424YS12Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

L'IDT71V424 e' un 4,194RAM statica ad alta velocità a 304 bit organizzata in 512K x 8. È fabbricata utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni e di alta affidabilità di IDT.combinato con tecniche innovative di progettazione dei circuiti, offre una soluzione conveniente per le esigenze di memoria ad alta velocità.

Caratteristiche

◆512K x 8 RAM statica CMOS ad alta velocità avanzata
◆JEDEC Center Power / GND per ridurre il rumore
◆L'accesso e i tempi di ciclo uguali
Commerciale e industriale: 10/12/15ns
◆Alimentazione singola da 3,3 V
◆Un chip Select più un pin Output Enable
◆Input e uscite bidirezionali di dati direttamente compatibili con TTL
◆basso consumo di energia tramite disselezione del chip
◆ Disponibile in 36 pin, 400 mil plastica SOJ pacchetto e 44 pin, 400 mil TSOP.

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Sistemi di circuiti integrati
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie 71V424
Tipo Asincrono
Imballaggio Imballaggio alternativo
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto 36-BSOJ (0,400", 10,16 mm di larghezza)
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 3 V ~ 3,6 V
Confezione del dispositivo del fornitore 36-SOJ
Capacità di memoria 4M (512K x 8)
Tipo di memoria SRAM - Asincrono
Velocità 10ns
Tempo di accesso 10 ns
Format-memoria RAM
Temperatura massima di funzionamento + 70 C
Intervallo di temperatura di funzionamento 0 C
Tipo di interfaccia Parallelamente
Organizzazione 512 k x 8
Fornitura-corrente-massimo 180 mA
Parte-#-Alias 71V424 IDT71V424S10YG8
tensione di alimentazione massima 3.6 V
tensione di alimentazione-min 3 V
Cassa del pacchetto SOJ-36
Componente funzionale compatibileForma, confezione, componente funzionale compatibile
Parte del fabbricante Descrizione Produttore Confronta
K6R4008V1B-JC10
Memoria
SRAM standard, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 Samsung Semiconductor 71V424S10YG8 contro K6R4008V1B-JC10
71V424L10YGI8
Memoria
SOJ-36, bobina Integrated Device Technology Inc. 71V424S10YG8 contro 71V424L10YGI8
AS7C34096A-10JCN
Memoria
SRAM standard, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, senza piombo, SOJ-36 Alliance Memory Inc. 71V424S10YG8 contro AS7C34096A-10JCN
71V424S10YGI8
Memoria
SOJ-36, bobina Integrated Device Technology Inc. 71V424S10YG8 contro 71V424S10YGI8
IS61LV5128AL-10KLI
Memoria
SRAM standard, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, senza piombo, in plastica, MS-027, SOJ-36 Integrated Silicon Solution Inc. 71V424S10YG8 contro IS61LV5128AL-10KLI
AS7C34096A-10JIN
Memoria
SRAM standard, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, senza piombo, SOJ-36 Alliance Memory Inc. 71V424S10YG8 contro AS7C34096A-10JIN
AS7C34096A-10JI
Memoria
SRAM standard, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36 Alliance Memory Inc. 71V424S10YG8 contro AS7C34096A-10JI

Descrizioni

SRAM - Memoria asincrona IC 4Mb (512K x 8) parallela 10ns 36-SOJ
SRAM 512Kx8 ASINCRONA 3.3V CMOS