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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2 GBIT PARALLELA 84 FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Numero di modello MT47H128M16RT-25E: C TR
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM-DDR2 Capacità di memoria 2Gbit
Organizzazione di memoria 128M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 400 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 400 ps Voltaggio - Fornitura 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 84-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 84-FBGA (9x12.5)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
IS43DR16640B-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 L:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 L:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-3:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-3:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16HR-25E AAT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
MT47H64M16HR-25 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16PK-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E XIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 banchi
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 banche
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 banchi

Caratteristiche

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• I/O 1,8V secondo lo standard JEDEC (SSTL_18-compatibile)
• opzione di strobo differenziale (DQS, DQS#)
• Architettura prefetch a 4n bit
• Opzione di doppia uscita stroboscopica (RDQS) per x8
• DLL per allineare le transizioni DQ e DQS con CK
• 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
• latenza CAS programmabile (CL)
• La latenza dell'additivo CAS (AL) pubblicata
• TENTAZIONE di scrittura = TENTAZIONE di lettura - 1 tCK
• lunghezze di scatto selezionabili (BL): 4 o 8
• Potenza regolabile dell'azionamento di uscita dati
• 64ms, 8192 cicli di aggiornamento
• Terminazione a tempo determinato (ODT)
• Opzione di temperatura industriale (IT)
• Opzione temperatura automotive (AT)
• Conformità RoHS
• Supporta la specifica JEDEC clock jitter

Specificità

AttributoValore attributivo
ProduttoreMicron Technology Inc.
Categoria di prodottoIC di memoria
Serie-
ImballaggioImballaggio alternativo a nastro e bobina (TR)
Cassa del pacchetto84-TFBGA
Temperatura di funzionamento0°C ~ 85°C (TC)
InterfacciaParallelamente
Fornitore di tensione10,7 V ~ 1,9 V
Confezione del dispositivo del fornitore84-FBGA (9x12.5)
Capacità di memoria2G (128M x 16)
Tipo di memoriaDDR2 SDRAM
Velocità2.5ns
Format-memoriaRAM

Descrizioni

SDRAM - DDR2 Memoria IC 2Gb (128M x 16) parallelo 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI