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La Cina AT28HC256-90DM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28CERDIP Tecnologia dei microchip

AT28HC256-90DM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28CERDIP Tecnologia dei microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLELO 63TFBGA Kioxia Europe, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLELO 63TFBGA Kioxia Europe, Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
La Cina R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLELO 32TSOP I Renesas Electronics America Inc

R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLELO 32TSOP I Renesas Electronics America Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
La Cina IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
La Cina CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP su semi

CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP su semi

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina NM27C010T120 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP su semi

NM27C010T120 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP su semi

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EPROM
Tecnologia: EPROM - OTP
La Cina CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4.5MBIT PAR 176TQFP Cypress Semiconductor Corp.

CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4.5MBIT PAR 176TQFP Cypress Semiconductor Corp.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - doppia porta, sincrona
La Cina MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2 GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2 GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
La Cina 71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Sincrono, SDR (ZBT)
La Cina M95160-RMB6TG IC EEPROM 16KBIT SPI 8UFDFPN STMicroelettronica

M95160-RMB6TG IC EEPROM 16KBIT SPI 8UFDFPN STMicroelettronica

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
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