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MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2 GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

  • MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Numero di modello MT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M4
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR3 Capacità di memoria 2Gbit
Organizzazione di memoria 128M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 10,066 GHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 20 ns Voltaggio - Fornitura 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 96-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 96-FBGA (8x14)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
MT41K128M16JT-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093G:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107G:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-125:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-187E:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16JT-125:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-15E:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093G:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107G:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-125E:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-125:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-15E:G IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093 J:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

DDR3 SDRAM

2 GB: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Caratteristiche

• VDD= VDDQ= 1,5V ± 0,075V
• 1,5 V di I/O di spinta/tiratura a terminale centrale
• Strobo differenziale bidirezionale
• Architettura prefetch a 8n-bit
• Input di orologio differenziale (CK, CK#)
• 8 banche interne
• Terminazione nominale e dinamica (ODT) per i segnali di dati, strobe e maschere
• CAS READ latency (CL) programmabile
• La latenza dell'additivo CAS (AL) pubblicata
• Programmabile CAS WRITE latency (CWL) basato su tCK
• lunghezza di scatto fissa (BL) di 8 e taglio di scatto (BC) di 4 (attraverso il set di registri di modalità [MRS])
• BC4 o BL8 selezionabili in volo (OTF)
• Modalità di aggiornamento automatico
• TC da 0°C a 95°C
- 64ms, 8192 cicli di aggiornamento da 0°C a 85°C
32ms, 8192 cicli di aggiornamento da 85°C a 95°C
• Temperatura di autoaggiornamento (SRT)
• Scrivere il livellamento
• Registro multiuso
• Calibrazione del driver di uscita

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Micron Technology Inc.
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR)
Cassa del pacchetto 96-TFBGA
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 95°C (TC)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 1.425 V ~ 1.575 V
Confezione del dispositivo del fornitore 96-FBGA (8x14)
Capacità di memoria 2G (128M x 16)
Tipo di memoria DDR3 SDRAM
Velocità 1066 MHz
Format-memoria RAM

Descrizioni

SDRAM - DDR3 Memoria IC 2Gb (128M x 16) parallelo 1066MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI