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CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP su semi

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xDettagli
Tipo di memoria | Non volatile | Formato di memoria | EEPROM |
---|---|---|---|
Tecnologia | EEPROM | Capacità di memoria | 512Kbit |
Organizzazione di memoria | 64K x 8 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
Frequenza di clock | - | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 5ms |
Tempo di Access | 120 NS | Voltaggio - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo di montaggio | Attraverso il buco |
Confezione / Cassa | 32 DIP (0,600", 15,24 mm) | Confezione del dispositivo del fornitore | 32-PDIP |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number | Description | |
---|---|---|
CAT28C512LI12 | IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001LI-12B | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F010LI12 | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F020LI12 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F512LI12 | IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28C512L12 | IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28C512LI15 | IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001L-12B | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001L-12T | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001L-90B | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F010L12 | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F010LI90 | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F020L12 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F512L12 | IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F020L90 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F001LI-12T | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F512LI90 | IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F512L90 | IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F020LI90 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28F010L90 | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | |
CAT28C512L15 | IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Descrizione
Il CAT28C512/513 è una EEPROM parallela CMOS veloce e a bassa potenza a soli 5V organizzata in 64K x 8 bit. Richiede un'interfaccia semplice per la programmazione in sistema.ciclo di scrittura auto-timed con auto-clear e VCC potenza su / giù protezione scrittura eliminare ulteriore hardware di cronometraggio e protezione.
Caratteristiche
■ Tempo di accesso veloce: 120/150 ns■ Dissipazione CMOS a bassa potenza:
Attivo: 50 mA Max.
¢ Standby: 200 μA al massimo.
■ Operazione di scrittura semplice:
¢ indirizzi e blocchi dati sul chip
¢Ciclo di scrittura automatico con cancellazione automatica
■ Tempo di scrittura veloce:
¢5ms Max
■ I/O compatibili CMOS e TTL
■ Operazione di scrittura automatica delle pagine:
Da 1 a 128 byte in 5 ms
¢ Timer di caricamento della pagina
■ Detezione di fine scrittura:
¢Toggle Bit
DATA sondaggi
■ Protezione da scrittura hardware e software
■ 100.000 cicli di programmazione/cancellazione
■ 100 anni di conservazione dei dati
■ Intervalli di temperatura commerciali, industriali e automobilistici
Specificità
Attributo | Valore attributivo |
---|---|
Produttore | semi |
Categoria di prodotto | IC di memoria |
Serie | - |
Imballaggio | Tubo |
Cassa del pacchetto | 32 DIP (0,600", 15,24 mm) |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Interfaccia | Parallelamente |
Fornitore di tensione | 4.5 V ~ 5.5 V |
Confezione del dispositivo del fornitore | 32-PDIP |
Capacità di memoria | 512K (64K x 8) |
Tipo di memoria | EEPROM |
Velocità | 120 ns |
Format-memoria | EEPROM - parallele |
Descrizioni
Memoria EEPROM IC 512Kb (64K x 8) parallela 120ns 32-PDIP
EEPROM parallelo 512K-bit 64K x 8 5V tubo PDIP a 32 pin
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