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71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

  • 71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc
Marca Renesas Electronics America Inc
Numero di modello 71V546S100PFG
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria SRAM
Tecnologia SRAM - Sincrono, SDR (ZBT) Capacità di memoria 4.5Mbit
Organizzazione di memoria 128K x 36 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 100 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 5 NS Voltaggio - Fornitura 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 100-LQFP Confezione del dispositivo del fornitore 100-TQFP (14x20)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V65603S100PFG IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
71V546S100PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V25761S183PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V25761S183PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V3579S65PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V3579S65PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V546S100PFGI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V546S100PFGI IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V65603S100PFG8 IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
71T75602S166PFG8 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
71T75602S166PFG IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
71V65603S100PFGI IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
71V65603S100PFGI8 IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
71T75602S166PFGI8 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
71T75602S166PFGI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
70261L20PFGI8 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP
71V25761YS200PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V3577YS85PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V3578YS133PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
70261S55PFG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione:

L'IDT71V509 e' un 3,3V ad alta velocita',024SRAM sincrona a 576 bit organizzata come 128K x 8. È progettata per eliminare i cicli morti quando si gira il bus tra lettura e scrittura, o scrive e legge.è stato chiamato ZBT, o Zero Bus TurnaroundTM.

Le caratteristiche:

• Configurazione della memoria 128K x 8
• Alta velocità - 66 MHz (9 ns Clock-to-Data Access)
• Flow-Through Output
• Nessun ciclo morto tra il ciclo di scrittura e quello di lettura
• Deselezionare la modalità a bassa potenza
• Fornitore di alimentazione singolo da 3,3 V (±5%)
• confezionato in SOJ a 44 piombo

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Sistemi di circuiti integrati
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie 71V546
Tipo Sincrono
Imballaggio Imballaggio alternativo del vassoio
Peso unitario 0.023175 once
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto 100 LQFP
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 3.135 V ~ 3.465 V
Confezione del dispositivo del fornitore 100 TQFP (14x20)
Capacità di memoria 4.5M (128K x 36)
Tipo di memoria SRAM - ZBT sincrono
Velocità 100 MHz
Tempo di accesso 5 ns
Format-memoria RAM
Temperatura massima di funzionamento + 70 C
Intervallo di temperatura di funzionamento 0 C
Tipo di interfaccia Parallelamente
Organizzazione 128 k x 36
Fornitura-corrente-massimo 250 mA
Parte-#-Alias 71V546 IDT71V546S100PFG
tensione di alimentazione massima 3.465 V
tensione di alimentazione-min 3.135 V
Cassa del pacchetto TQFP-100
Frequenza massima dell'orologio 100 MHz
Componente funzionale compatibileForma, confezione, componente funzionale compatibile
Parte del fabbricante Descrizione Produttore Confronta
71V2556XS100PFG8
Memoria		 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, VERDE, PLASTICO, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro 71V2556XS100PFG8
IDT71V3556S100PFG8
Memoria		 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM di altezza, conforme alla normativa ROHS, PLASTIC, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro IDT71V3556S100PFG8
IDT71V3556S100PFG
Memoria		 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM di altezza, PLASTICO, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro IDT71V3556S100PFG
71V546S100PFG8
Memoria		 TQFP-100, bobina Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro 71V546S100PFG8
71V3556S100PFG8
Memoria		 TQFP-100, bobina Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro 71V3556S100PFG8
IDT71V546S100PFG8
Memoria		 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro IDT71V546S100PFG8
IDT71V3556XS100PFG
Memoria		 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM di altezza, conforme alla ROHS, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro IDT71V3556XS100PFG
71V3556S100PFG
Memoria		 TQFP-100, vassoio Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro 71V3556S100PFG
IDT71V546S100PFG
Memoria		 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, conforme alla ROHS, PLASTIC, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro IDT71V546S100PFG
71V2556XS100PFG
Memoria		 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, VERDE, PLASTICO, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V546S100PFG contro 71V2556XS100PFG

Descrizioni

SRAM - Memoria sincrona ZBT IC 4,5 Mb (128K x 36) parallela a 100 MHz 5ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3,3V SRAM in condotta
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI