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La Cina STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Cypress Semiconductor Corp.

STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Cypress Semiconductor Corp.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: NVSRAM
tecnologia: NVSRAM (SRAM non volatile)
La Cina W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Winbond Elettronica

W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Winbond Elettronica

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM-DDR
La Cina S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.

S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
La Cina MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLELA 96FBGA Micron Technology Inc.

MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLELA 96FBGA Micron Technology Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR4
La Cina S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Infineon Technologies

S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Infineon Technologies

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NÉ
La Cina AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Tecnologia dei microchip

AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Tecnologia dei microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroelettronica

M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroelettronica

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EPROM
Tecnologia: EPROM - UV
La Cina 70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - doppia porta, asincrona
La Cina IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM - EDO
La Cina IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
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