IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Caratteristiche

• Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Basse tensioni (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compattibile con 1.5V
• velocità di trasferimento dei dati ad alta velocità con frequenza di sistema fino a 933 MHz
• 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
• Architettura 8n-Bit pre-fetch
• Latenza CAS programmabile
• Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
• Programmabile CAS WRITE latency (CWL) basato su tCK
• Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
• Sequenza di scatto programmabile: sequenziale o interleave
• Interruttore BL in volo
• Autorefrescamento automatico (ASR)
• TEMPERATURA di rinfresco automatico (SRT)
• Intervallo di aggiornamento:
7.8 us (8192 cicli/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Ristrutturazione parziale
• Pin di riattivazione asincrono
• supporto TDQS (Termination Data Strobe) (solo x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• ODT dinamico (terminazione immediata)
• Forza del driver: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Scrivere il livellamento
• Fino a 200 MHz in modalità spenta DLL
• Temperatura di funzionamento:
Commerciale (TC = 0°C a +95°C)
Industria (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)