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La Cina R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP Renesas Electronics America Inc.

R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Alliance Memory, Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
La Cina BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLELO 28DIP Texas Instruments

BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLELO 28DIP Texas Instruments

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: NVSRAM
Tecnologia: NVSRAM (SRAM non volatile)
La Cina AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8VDFN Renesas Design Germany GmbH

AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8VDFN Renesas Design Germany GmbH

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
La Cina IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc.

IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - doppia porta, sincrona
La Cina AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Tecnologia dei microchip

AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Tecnologia dei microchip

Tipo di memoria: Non volatile
Formato di memoria: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
La Cina IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM-DDR
La Cina IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
La Cina IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo di memoria: Volatile
Formato di memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asincrono
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