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BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLELO 28DIP Texas Instruments

  • BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Texas Instruments
Marca Texas Instruments
Numero di modello BQ4010MA-85
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
Tempi di consegna 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento T/T
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Dettagli
Tipo di memoria Non volatile Formato di memoria NVSRAM
Tecnologia NVSRAM (SRAM non volatile) Capacità di memoria 64Kbit
Organizzazione di memoria 8K x 8 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock - Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 85 ns
Tempo di Access 85 n Voltaggio - Fornitura 4,75 V ~ 5,5 V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Attraverso il buco
Confezione / Cassa Modulo 28-DIP (0,61", 15,49 mm) Confezione del dispositivo del fornitore Modulo 28-DIP (18.42x37.72)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011MA-100 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-100 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-70 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010LYMA-70N IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
BQ4011LYMA-70N IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010MA-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010MA-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010MA-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-150N IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-70N IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-85N IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011MA-150 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011MA-200 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-150 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-150N IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-200 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-70N IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione/ Caratteristiche

Il raddrizzatore Schottky a montaggio superficiale 10BQ040 è stato progettato per applicazioni che richiedono una bassa caduta in avanti e piccole impronte su schede PC.alimentatori di commutazione, convertitori, diodi a rotazione libera, ricarica della batteria e protezione inversa della batteria.

• Piccola impronta, montabile in superficie

• Basso calo di tensione
• Funzionamento ad alta frequenza
• Anello di protezione per una maggiore robustezza e affidabilità a lungo termine

Specificità

AttributoValore attributivo
ProduttoreTexas Instruments
Categoria di prodottoIC di memoria
Serie-
ImballaggioScaffale
Cassa del pacchettoModulo 28-DIP (0,61", 15,49 mm)
Temperatura di funzionamento0°C ~ 70°C (TA)
InterfacciaParallelamente
Fornitore di tensione40,75 V ~ 5,5 V
Confezione del dispositivo del fornitoreModulo 28-DIP (18.42x37.72)
Capacità di memoria64K (8K x 8)
Tipo di memoriaNVSRAM (non volatile)
Velocità85 ns
Format-memoriaRAM

Descrizioni

NVSRAM (Non Volatile SRAM) Memoria IC 64Kb (8K x 8) Modulo parallelo 85ns 28-DIP (18.42x37.72)
NVRAM NVSRAM parallelo 64Kbit 5V 28-Pin DIP Modulo
Etichette:

Memoria flash stabile IC

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