IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Numero di modello IS43R32400E-5BL-TR
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM-DDR Capacità di memoria 128Mbit
Organizzazione di memoria 4M x 32 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 200 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 700 ps Voltaggio - Fornitura 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 144-LFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 144-LFBGA (12x12)
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Part Number Description
IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-5BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-5BL IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-5BLI IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4BL IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4B IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5B IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BI IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Caratteristiche

● Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Bassa tensione (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compattibile con 1.5V
● Trasferimento di dati ad alta velocità
frequenza fino a 933 MHz
● 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
● Architettura 8n-bit pre-fetch
● Latenza CAS programmabile
● Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
● Programmabile CAS WRITE latency (CWL) basato su tCK
● Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
● Sequenza di esplosioni programmabile: sequenziale o interlacciata
● Accendi il tasto BL al volo
● Auto-Rifrescamento (ASR)
● TEMPERATURA di rinfrescamento automatico (SRT)
● Intervallo di aggiornamento:
7.8 us (8192 cicli/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Array parziale
● Pin RESET asincrono
● Supporto TDQS (Termination Data Strobe) (solo x8)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● ODT dinamico (terminazione immediata)
● Forza del conducente: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● Scrivere Livellamento
● Fino a 200 MHz in modalità spenta DLL
● Temperatura di funzionamento:
Commerciale (TC = 0°C a +95°C)
Industria (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore ISSI
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie IS43R32400E
Tipo DDR1
Imballaggio Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR)
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto 144-LFBGA
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 2.3 V ~ 2,7 V
Confezione del dispositivo del fornitore 144-LFBGA (12x12)
Capacità di memoria 128M (4M x 32)
Tipo di memoria DDR SDRAM
Velocità 200 MHz
Tempo di accesso 5 ns
Format-memoria RAM
Temperatura massima di funzionamento + 70 C
Intervallo di temperatura di funzionamento 0 C
Organizzazione 4 M x 32
Fornitura-corrente-massimo 320 mA
Ampiezza del bus dati 32 bit
tensione di alimentazione massima 2.7 V
tensione di alimentazione-min 2.3 V
Cassa del pacchetto LFBGA-144
Frequenza massima dell'orologio 200 MHz

Descrizioni

SDRAM - Memoria DDR IC 128Mb (4M x 32) parallelo 200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 144-Pin LFBGA T/R
DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v