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IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
| Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| Numero di modello | IS43R32400E-5BL-TR |
| Quantità di ordine minimo | 1 |
| Prezzo | Based on current price |
| Imballaggi particolari | sacchetto antistatico e scatola di cartone |
| Tempi di consegna | 3-5 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento | T/T |
| Capacità di alimentazione | In magazzino |
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xDettagli
| Tipo di memoria | Volatile | Formato di memoria | DRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM-DDR | Capacità di memoria | 128Mbit |
| Organizzazione di memoria | 4M x 32 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
| Frequenza di clock | 200 MHz | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 15ns |
| Tempo di Access | 700 ps | Voltaggio - Fornitura | 2.3V ~ 2.7V |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | 144-LFBGA | Confezione del dispositivo del fornitore | 144-LFBGA (12x12) |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43R32400E-5BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-4BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-5BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-5BL | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-5BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32160D-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32160D-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32160D-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32160D-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-4BL | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BL | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-4B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-4B | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5B | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BI | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Caratteristiche
● Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V● Bassa tensione (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compattibile con 1.5V
● Trasferimento di dati ad alta velocità
frequenza fino a 933 MHz
● 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
● Architettura 8n-bit pre-fetch
● Latenza CAS programmabile
● Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
● Programmabile CAS WRITE latency (CWL) basato su tCK
● Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
● Sequenza di esplosioni programmabile: sequenziale o interlacciata
● Accendi il tasto BL al volo
● Auto-Rifrescamento (ASR)
● TEMPERATURA di rinfrescamento automatico (SRT)
● Intervallo di aggiornamento:
7.8 us (8192 cicli/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Array parziale
● Pin RESET asincrono
● Supporto TDQS (Termination Data Strobe) (solo x8)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● ODT dinamico (terminazione immediata)
● Forza del conducente: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● Scrivere Livellamento
● Fino a 200 MHz in modalità spenta DLL
● Temperatura di funzionamento:
Commerciale (TC = 0°C a +95°C)
Industria (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)
Specificità
| Attributo | Valore attributivo |
|---|---|
| Produttore | ISSI |
| Categoria di prodotto | IC di memoria |
| Serie | IS43R32400E |
| Tipo | DDR1 |
| Imballaggio | Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR) |
| Stile di montaggio | SMD/SMT |
| Cassa del pacchetto | 144-LFBGA |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interfaccia | Parallelamente |
| Fornitore di tensione | 2.3 V ~ 2,7 V |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 144-LFBGA (12x12) |
| Capacità di memoria | 128M (4M x 32) |
| Tipo di memoria | DDR SDRAM |
| Velocità | 200 MHz |
| Tempo di accesso | 5 ns |
| Format-memoria | RAM |
| Temperatura massima di funzionamento | + 70 C |
| Intervallo di temperatura di funzionamento | 0 C |
| Organizzazione | 4 M x 32 |
| Fornitura-corrente-massimo | 320 mA |
| Ampiezza del bus dati | 32 bit |
| tensione di alimentazione massima | 2.7 V |
| tensione di alimentazione-min | 2.3 V |
| Cassa del pacchetto | LFBGA-144 |
| Frequenza massima dell'orologio | 200 MHz |
Descrizioni
SDRAM - Memoria DDR IC 128Mb (4M x 32) parallelo 200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 144-Pin LFBGA T/R
DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v
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