IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Numero di modello IS41LV16100B-50KL
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia DRAM - EDO Capacità di memoria 16Mbit
Organizzazione di memoria 1M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock - Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 25 NS Voltaggio - Fornitura 3V ~ 3,6V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm di larghezza) Confezione del dispositivo del fornitore 42-SOJ
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Part Number Description
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
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IS41LV16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

L'ISSIIS41LV16100B è 1,048,576 x 16 bit di alte prestazioni CMOS Dynamic Random Access Memories. Questi dispositivi offrono un accesso a ciclo accelerato chiamato EDO Page Mode.024 accessi casuali all'interno di una singola riga con un tempo di ciclo di accesso inferiore a 20 ns per parola a 16 bit.

Caratteristiche

• Input e output compatibili con TTL; I/O a tre stati
• Intervallo di aggiornamento:
Modalità di aggiornamento automatico: 1,024 cicli /16 ms
¢ solo RAS, CAS prima di RAS (CBR) e nascosto
• Pinout standard JEDEC
• alimentazione singola: 3,3 V ± 10%
• Byte Write e Byte Read operazione tramite due CAS
• Intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C
• Disponibile senza piombo

Specificità

AttributoValore attributivo
ProduttoreISSI
Categoria di prodottoChip di circuito integrato
Serie-
ImballaggioTubo
Cassa del pacchetto42-BSOJ (0,400", 10,16 mm)
Temperatura di funzionamento0°C ~ 70°C (TA)
InterfacciaParallelamente
Fornitore di tensione3 V ~ 3,6 V
Confezione del dispositivo del fornitore42-SOJ
Capacità di memoria16M (1M x 16)
Tipo di memoriaDRAM - EDO
Velocità50 ns
Format-memoriaRAM

Descrizioni

DRAM - memoria EDO IC 16Mb (1M x 16) parallelo 25ns 42-SOJ