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TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLELO 63TFBGA Kioxia Europe, Inc.

  • TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc.
Marca Kioxia America, Inc.
Numero di modello TC58BVG0S3HBAI4
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
Tempi di consegna 3-5 giorni lavorativi
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Dettagli
Tipo di memoria Non volatile Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (SLC) Capacità di memoria 1Gbit
Organizzazione di memoria 128M x 8 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock - Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 25ns
Tempo di Access 25 NS Voltaggio - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 63-VFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 63-TFBGA (9x11)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA
TH58BYG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TH58BVG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TC58BYG2S0HBAI4 IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
TH58NYG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
TH58NYG3S0HBAI4 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BYG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT 63TFBGA
TH58NVG2S3HBAI6 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
TH58NYG2S3HBAI6 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
TH58BYG3S0HBAI4 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BVG2S0HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG2S0HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BVG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
TC58BYG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
TC58NYG1S3HBAI4 IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
TC58NYG2S0HBAI4 IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TH58NVG3S0HBAI4 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TH58NVG2S3HBAI4 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Condensatore di uso generale a temperatura di 85 oC, a alta ondulazione

Il tipo TC è un condensatore elettrolitico in alluminio a uso generale a 85 oC, a lunga durata di 1000 ore, a piombo assiale, con un'elevata corrente ondulatoria e adatto alle applicazioni di apparecchiature elettroniche di consumo..

I punti salienti

• finalità generale
• Corrente d'onda elevata
• Montaggio a basso profilo

Specificità

AttributoValore attributivo
ProduttoreToshiba Semiconductor e Storage
Categoria di prodottoIC di memoria
SerieBenandTM
ImballaggioScaffale
Cassa del pacchetto63-VFBGA
Temperatura di funzionamento-40°C ~ 85°C (TA)
InterfacciaParallelamente
Fornitore di tensione2.7 V ~ 3.6 V
Confezione del dispositivo del fornitore63-TFBGA (9x11)
Capacità di memoria1G (128M x 8)
Tipo di memoriaEEPROM - NAND
Velocità25 ns
Format-memoriaEEPROM - in serie

Descrizioni

Flash - NAND (SLC) Memoria IC 1 GB (128M x 8) parallelo 25ns 63-TFBGA (9x11)
SLC NAND Flash parallelo 3.3V 1G-bit
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI