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STAV58010P2 Nitruro di gallio 50V, 10W, DC-6GHz RF Power Transistor

  • STAV58010P2 Gallium Nitride 50V, 10W, DC-6GHz RF Power Transistor
Place of Origin CN
Marca in
Model Number STAV58010P2
Minimum Order Quantity 1
Prezzo Based on current price
Packaging Details anti-static bag & cardboard box
Delivery Time 5-8 work days
Payment Terms T/T
Supply Ability 3550 pcs In stock

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Dettagli
Operating Voltage 55 Vdc Maximum forward gate current 2 mA
Gate--Source Voltage S -8 to +0.5 Vdc Drain--Source Voltage +200 Vdc
Storage Temperature Range -65 to +150 Case Operating Temperature +150
Operating Junction Temperature +225
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Descrizione di prodotto

Gallio Nitruri 50 V, 16W, DC-6GHzRF Potenza Transistor
 
Descrizione
 
Il STAV58016P2 è a) 16 watt, senza pari GaN HEMT, idealeper Applicazioni generalia 6 GHz.
Si tratta dialto guadagno, largo banda - e basso costo, in 4*4,5 mmNumero di registrazionedi plastica pacchetto.
Si può. supportoCW, polsoo qualsiasi modulato Segnale.
Ecco. è - No, no. garanzia di prestazioni quando questo parte è utilizzato fuori di dichiarato frequenze.

  • Tipico Classe AB singolo - vettore W-CDMA Caratterizzazione Performance:

V.DD = 50 Vdc,Io...DQ = 20 mA, Input Segnale PAR = 10 dB @0.01% Probabilità su CCDF.
(Sulla innovazione cartellone di domanda con dispositivo saldato)
 

Frequenza
(MHz)

Pout
(dBm)

CCDF
(dB)

Pico
(dBm)

Pico
(W)

ACRP
(dBc)

Guadagno
(dB)

Eff.
(%)

3300

33.009.1242.1216.3- Tre e trentacinque.916.827.8
340032.999.0442.0316.0- 36 anni.317.127.8
350033.008.9241.9215.6- 37 anni.117.428.7
360032.978.9041.8815.4- 38 anni.117.527.4
370033.008.9741.9715.7- 39 anni.417.427.4
380033.018.9041.9115.5- Quarant'anni.716.625.7

 
Applicazioni

  • 5G, 4G infrastrutture wireless
  • Larghezza di banda o banda stretta potenza amplificatore
  • Esame strumenti
  • Servizio civile polso radar
  • - Non lo so.

 
 

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