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MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLELA 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.
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x| Tipo di memoria | Non volatile | Formato di memoria | RAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | con un'ampiezza superiore a 50 mm | Capacità di memoria | 16Mbit |
| Organizzazione di memoria | 1M x 16 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
| Frequenza di clock | - | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 35ns |
| Tempo di Access | 35 NS | Voltaggio - Fornitura | 3V ~ 3,6V |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | 54-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm) | Confezione del dispositivo del fornitore | 54-TSOP2 |
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| NDS66PT5-16IT TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS36PT5-20ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-16IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-20IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS66PT5-16ET TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR4A16BYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 |
Dettagli del prodotto
MR3 Assemblaggi di lampade riflettrici
MR4 Assemblaggi di lampade riflettrici
MR6 Assemblaggi di lampade riflettenti
Assemblaggi di riflettori di fuoco regolabili
Specificità
| Attributo | Valore attributivo |
|---|---|
| Produttore | Everspin |
| Categoria di prodotto | IC di memoria |
| Serie | MR4A16B |
| Imballaggio | Imballaggio alternativo del vassoio |
| Stile di montaggio | SMD/SMT |
| Cassa del pacchetto | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm di larghezza) |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interfaccia | Parallelamente |
| Fornitore di tensione | 3 V ~ 3,6 V |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 54-TSOP2 |
| Capacità di memoria | 16M (1M x 16) |
| Tipo di memoria | con un'ampiezza superiore a 50 mm |
| Velocità | 35 ns |
| Tempo di accesso | 35 ns |
| Format-memoria | RAM |
| Temperatura massima di funzionamento | + 70 C |
| Intervallo di temperatura di funzionamento | 0 C |
| Corrente di approvvigionamento di esercizio | 110 mA |
| Tipo di interfaccia | Parallelamente |
| Organizzazione | 1 M x 16 |
| Ampiezza del bus dati | 16 bit |
| tensione di alimentazione massima | 3.6 V |
| tensione di alimentazione-min | 3 V |
| Cassa del pacchetto | TSOP-54 |
| Parte del fabbricante | Descrizione | Produttore | Confronta |
| MR4A16BYS35R Memoria |
Circuito di memoria, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 contro MR4A16BYS35R |
| MR4A16BCYS35R Memoria |
Circuito di memoria, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 contro MR4A16BCYS35R |
| MR4A16BMYS35R Memoria |
Circuito di memoria, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS COMPLIANT, MS-024, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 contro MR4A16BMYS35R |
| MR4A16BMYS35 Memoria |
Circuito di memoria, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS COMPLIANT, MS-024, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 contro MR4A16BMYS35 |
| MR4A16BCYS35 Memoria |
Circuito di memoria, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 contro MR4A16BCYS35 |

