71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

Marca Renesas Electronics America Inc
Numero di modello 71V25761S166PFG8
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria SRAM
tecnologia SRAM - Sincrono, DSR Capacità di memoria 4.5Mbit
Organizzazione di memoria 128K x 36 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 166 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 3,5 NS Voltaggio - Fornitura 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 100-LQFP Confezione del dispositivo del fornitore 100-TQFP (14x20)
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Part Number Description
71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V25761S166PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S166PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V25761S166PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S166PFI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V25761S166PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PF IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PFI IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761YS200PF IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761YS200PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3577YS85PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3577YS85PF8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3577YS85PFI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3577YS85PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3578YS133PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3578YS133PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3578YS133PFI IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3578YS133PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3579S65PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3579S65PF8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V632ZS5PF IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V632ZS5PF8 IC SRAM 2MBIT PAR 100TQFP
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

L'IDT71V256SA è una RAM statica ad alta velocità da 262.144 bit organizzata in 32K x 8. È fabbricata utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità di IDT.

Caratteristiche

• Ideale per la cache secondaria del processore ad alte prestazioni
• Commerciale (0° a 70°C) e industriale (-40° a 85°C)
opzioni di temperatura
• Tempo di accesso rapido:
Commerciale: 10/12/15/20ns
Industria: 15 anni
• corrente di attesa bassa (massimo):
2mA in standby completo
• Piccoli pacchetti per disegni economici:
¢ 28 pin 300 mil SOJ
- 28 pin 300 ml di DIP di plastica (solo commerciale)
¢ TSOP tipo I a 28 pin
• Prodotto con CMOS avanzato ad alte prestazioni
tecnologia
• Gli input e gli output sono compatibili con LVTTL
• alimentazione singola da 3,3 V (± 0,3 V)

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Sistemi di circuiti integrati
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie 71V25761S166
Tipo Sincrono
Imballaggio Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR)
Peso unitario 0.023175 once
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto 100 LQFP
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 3.135 V ~ 3.465 V
Confezione del dispositivo del fornitore 100 TQFP (14x20)
Capacità di memoria 4.5M (128K x 36)
Tipo di memoria SRAM - sincrono
Velocità 166 MHz
Tempo di accesso 3.5 ns
Format-memoria RAM
Temperatura massima di funzionamento + 70 C
Intervallo di temperatura di funzionamento 0 C
Tipo di interfaccia Parallelamente
Organizzazione 128 k x 36
Fornitura-corrente-massimo 320 mA
Parte-#-Alias 71V25761 IDT71V25761S166PFG8
tensione di alimentazione massima 3.465 V
tensione di alimentazione-min 3.135 V
Cassa del pacchetto TQFP-100
Frequenza massima dell'orologio 166 MHz
Componente funzionale compatibileForma, confezione, componente funzionale compatibile
Parte del fabbricante Descrizione Produttore Confronta
IDT71V25761S166PFI8
Memoria
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM di altezza, PLASTIC, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V25761S166PFG8 contro IDT71V25761S166PFI8
71V25761S166PFGI
Memoria
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 1,40 MM di altezza, VERDE, PLASTICO, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V25761S166PFG8 contro 71V25761S166PFGI
IDT71V25761S166PF
Memoria
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V25761S166PFG8 contro IDT71V25761S166PF
71V25761S166PFG
Memoria
TQFP-100, vassoio Integrated Device Technology Inc. 71V25761S166PFG8 contro 71V25761S166PFG
71V25761S166PF8
Memoria
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM di altezza, PLASTIC, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V25761S166PFG8 contro 71V25761S166PF8
IDT71V25761S166PFI
Memoria
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 Integrated Device Technology Inc. 71V25761S166PFG8 contro IDT71V25761S166PFI

Descrizioni

SRAM - Memoria sincrona IC 4.5Mb (128K x 36) parallelo 166MHz 3.5ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V SRAM BURST