CYD36S18V18-167BGXC CI SRAM 36MBIT PAR 484PBGA Cypress Semiconductor Corp

Marca Cypress Semiconductor Corp
Numero di modello CYD36S18V18-167BGXC
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria SRAM
tecnologia SRAM - doppia porta, sincrona Capacità di memoria 36Mbit
Organizzazione di memoria 2M x 18 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 167 megahertz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 4 NS Voltaggio - Fornitura 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 484-FBGA Confezione del dispositivo del fornitore 484-PBGA (27x27)
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Part Number Description
CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA
CYD09S72V18-200BGXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA
CYD18S72V18-167BGI IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA
CYD18S72V18-167BGC IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA
CYD18S72V18-167BGXC IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA
CYD36S36V18-200BGXC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA
CYD36S72V18-167BGXI IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA
CYD36S72V18-200BGXC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA
CYD36S18V18-167BGXI IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484FBGA
CYD18S72V18-200BGI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA
CYD18S72V18-200BGXI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA
CYD09S72V18-200BGXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA
CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA
CYD36S18V18-200BGXC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA
CYD36S36V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA
CYD36S36V18-167BGXI IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA
CYD36S36V18-200BGXC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA
CYD36S72V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA
CYD36S72V18-167BGXI IC SRAM 36MBIT 167MHZ 484FBGA
CYD36S72V18-200BGXC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA
CYD18S72V18-167BGC IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA
CYD18S72V18-167BGXC IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA
CYD18S72V18-167BGI IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Resistenze di precisione a piombo assiale

La gamma Holco di resistori a pellicola metallica di precisione soddisfa il fabbisogno di componenti a prezzi economici per applicazioni industriali e militari.L'impianto di produzione utilizza processi di produzione strettamente controllati, tra cui lo sputter coating di film di lega metallica su substrati ceramiciPer la protezione ambientale e meccanica viene applicato un rivestimento epossidico.In commercio la serie è disponibile in due dimensioni, da 1 ohm a 4M ohm, tolleranze da 0,05% a 1% e TCR da 5ppm/°C a 100ppm/°C. Offerto con rilascio alla BS CECC 40101 004, 030 e 804, l'H8 è disponibile tramite distribuzione.

Caratteristiche chiave

■ Ultraprecisione - fino allo 0,05%
■ Set abbinati disponibili a 2 ppm/°C
■ Resistono ad impulsi elevati
■ bassa reattività
■ Basso TCR - fino a 5 ppm/°C
■ Stabilità a lungo termine
■ Fino a 1 watt a 70°C
■ Rilasciato al CECC 40101 004, 030 e 804

Specificità

AttributoValore attributivo
ProduttoreSemiconduttore di cipresso
Categoria di prodottoIC di memoria
Serie-
ImballaggioScaffale
Cassa del pacchetto484-FBGA
Temperatura di funzionamento0°C ~ 70°C (TA)
InterfacciaParallelamente
Fornitore di tensione1.42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V
Confezione del dispositivo del fornitore484-FBGA (23x23)
Capacità di memoria36M (2M x 18)
Tipo di memoriaSRAM - doppia porta, sincrona
Velocità167 MHz
Format-memoriaRAM

Descrizioni

SRAM - Dual Port, memoria sincrona IC 36Mb (2M x 18) parallelo 167MHz 4ns 484-FBGA (23x23)