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AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLELA 90FBGA Alliance Memory, Inc.

  • AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Alliance Memory, Inc.
Marca Alliance Memory, Inc.
Numero di modello AS4C16M32MD1-5BCN
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - LPDDR mobile Capacità di memoria 512Mbit
Organizzazione di memoria 16M x 32 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 200 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 5 NS Voltaggio - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di funzionamento -25°C ~ 85°C (TJ) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 90-VFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 90 FBGA (8x13)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MSA-6BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1A-5BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MD1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C4M32MSA-6BINTR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MD1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C4M32MSA-6BIN IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MD1-5BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C8M32MSA-6BINTR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MSA-6BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C8M32MSA-6BIN IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1A-5BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BINTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-7BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-6BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-6BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-7BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Caratteristiche

• Organizzazione: 1,048,576 parole × 4 bit
• Alta velocità
- 40/50/60/70 ns tempo di accesso al RAS
- 20/25/30/35 ns tempo di accesso all'indirizzo della colonna
- 10/13/15/18 ns tempo di accesso CAS
• Basso consumo energetico
- Attivo: 385 mW max (-60)
- Standby: 5,5 mW max, CMOS I/O
• modalità di pagina veloce (AS4C14400) o EDO (AS4C14405)
• 1024 cicli di aggiornamento, intervallo di aggiornamento di 16 ms
- Aggiornamento solo RAS o CAS prima RAS
• Leggere-modificare-scrivere
• I/O a tre stati compatibili con TTL
• pacchetti standard JEDEC
- 300 mil, 20/26 pin SOJ
- 300 mil, 20/26 pin TSOP
• Fornitore di alimentazione singolo a 5 V
• Protezione ESD ≥ 2001V
• Corrente di chiusura ≥ 200 mA

Specificità

AttributoValore attributivo
ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Categoria di prodottoIC di memoria
Serie-
ImballaggioImballaggio alternativo del vassoio
Cassa del pacchetto90 VFBGA
Temperatura di funzionamento-25°C ~ 85°C (TJ)
InterfacciaParallelamente
Fornitore di tensione10,7 V ~ 1,95 V
Confezione del dispositivo del fornitore90 FBGA (8x13)
Capacità di memoria512M (16M x 32)
Tipo di memoriaSDRAM DDR mobile
Velocità200 MHz
Format-memoriaRAM

Descrizioni

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) parallelo 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI