IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Numero di modello IS66WVH8M8BLL-100B1LI
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria PSRAM
Tecnologia PSRAM (pseudo SRAM) Capacità di memoria 64Mbit
Organizzazione di memoria 8M x 8 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 100 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 40ns
Tempo di Access 40 NS Voltaggio - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 24-TBGA Confezione del dispositivo del fornitore 24-TFBGA (6x8)
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Part Number Description
IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS25LP256D-RHLE IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS66WVH16M8DALL-166B1LI IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS25WP128-RHLE IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH8M8ALL-166B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS25WP256D-RHLE IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP064A-RHLE-TR IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
IS25WP064A-RHLE IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA
IS25WP128-RHLE-TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA
IS25LP256D-RHLE-TR IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP256D-RHLE-TR IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
IS25LP512M-RHLE-TR IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
IS25LP512M-RHLE IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP128-RGLE IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS25WP128-RGLE-TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA
IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
IS25LP256D-RGLE-TR IC FLASH 256MBIT SERIAL 24TFBGA
IS25LP512M-RGLE-TR IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
IS25LP256D-RGLE IC FLASH 256MBIT SERIAL 24TFBGA
IS25LP512M-RGLE IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

The IS66_ series are optically coupled isolators consisting of infrared light emitting diode and a high voltage NPN silicon photo darlington which has an integral base-emitter resistor to optimise switching speed and elevated temperature characteristics in a standard 6pin dual in line plastic package.

Caratteristiche

• Opzioni :-
10 mm di spargimento di piombo - aggiungere la G dopo il numero della parte.
Montaggio superficiale - aggiungere SM dopo il numero della parte.
N. di parte - aggiungere SMT&R dopo la parte n.
• Alta tensione di isolamento (5,3 kVRMS,7.5kVPK)
• Rapporto di trasferimento di corrente elevato (1000% min)
• Alta BVCEO (400V min. - IS662)
(300V min. - IS661)
200 V min. - IS660)

Applicazioni

• Modem
• Copie, fax
• macchine a controllo numerico
• Trasmissione del segnale tra sistemi di potenziali e di impedenze differenti

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore ISSI
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Scaffale
Nome commerciale HyperRAM
Cassa del pacchetto 24-TBGA
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 2.7 V ~ 3.6 V
Confezione del dispositivo del fornitore 24-TFBGA (6x8)
Capacità di memoria 64M (8M x 8)
Tipo di memoria PSRAM (Pseudo)
Velocità 100 MHz
Format-memoria RAM

Descrizioni

PSRAM (Pseudo SRAM) Memoria IC 64Mb (8M x 8) parallela a 100MHz 40ns 24-TFBGA (6x8)
SRAM 64Mb 8Mbx8 3,0V 100MHz HyperRAM