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TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLELO 48TSOP I Kioxia Europe, Inc.

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xDettagli
Tipo di memoria | Non volatile | Formato di memoria | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) | Capacità di memoria | 8 Gbit |
Organizzazione di memoria | 1G x 8 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
Frequenza di clock | - | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 25ns |
Tempo di Access | 25 NS | Voltaggio - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Confezione / Cassa | 48-TFSOP (0,724", larghezza di 18.40mm) | Confezione del dispositivo del fornitore | 48-TSOP I |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number | Description | |
---|---|---|
TH58NVG3S0HTAI0 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG1S3ETA00 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG1S3ETAI0 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG2S0FTA00 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG3S0FTA00 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58NVG4S0FTA20 | IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58NVG5S0FTA20 | IC FLSH 32GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58BVG0S3HTA00 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58BVG0S3HTAI0 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58BVG1S3HTA00 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58BVG1S3HTAI0 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58BVG2S0HTA00 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58BVG2S0HTAI0 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG0S3HTA00 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG0S3HTAI0 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG1S3HTA00 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG1S3HTAI0 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG2S0HTA00 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TC58NVG2S0HTAI0 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58BVG2S3HTA00 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58BVG2S3HTAI0 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58BVG3S0HTA00 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58NVG2S3HTA00 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58NVG2S3HTAI0 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58NVG3S0HTA00 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58NVG4S0HTA20 | IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58NVG4S0HTAK0 | IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I | |
TH58BVG3S0HTAI0 | IC FLASH 8GBIT 48TSOP I |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
[Toshiba]
2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM
Descrizione
Il TH58NVG1S3A è un singolo 3.3-V 2G-bit (2,214,592,512 bit) NAND Memoria di sola lettura elettricamente cancellabile e programmabile (NAND E2PROM) organizzata come (2048+64) byte x 64 pagine x 2048 blocchi.Il dispositivo dispone di registri statici da 2112 byte che consentono il trasferimento di dati di programma e lettura tra il registro e l'array di celle di memoria in incrementi di 2112 byteL'operazione di cancellazione è realizzata in una singola unità di blocco (128 Kbyte + 4 Kbyte: 2112 byte x 64 pagine).Il TH58NVG1S3A è un dispositivo di memoria di tipo seriale che utilizza i pin I/O sia per l'indirizzo che per l'input/output dei dati, nonché per gli input dei comandi.Le operazioni di cancellazione e programmazione vengono eseguite automaticamente rendendo il dispositivo più adatto per applicazioni come lo storage di file a stato solido, registrazione vocale, memoria di file d'immagine per telecamere fisse e altri sistemi che richiedono una memoria non volatile ad alta densità per la memorizzazione dei dati.
Caratteristiche
• OrganizzazioneCelle di memoria allay 2112 u 64K u 8 u 2
Registro 2112 u 8
Dimensione pagina 2112 byte
Dimensione del blocco (128K 4K) byte
• Modalità
Leggere, ripristinare, programma di pagina automatica
Cancellazione automatica del blocco, lettura dello stato
• Controllo della modalità
Input/output seriale
Controllo di comando
• alimentazione VCC da 2,7 V a 3,6 V
• Cicli di programmazione/cancellazione 1E5 Cicli ((con ECC)
• Tempo di accesso
Matrice di celle per registrare 25 μs max
Ciclo di lettura seriale 50 ns min
• Corrente di funzionamento
Lettura (ciclo di 50 ns) 10 mA tip.
Programma (in media) 10 mA tip.
Cancellazione (in media) 10 mA tip.
Standby 50 μA massimo
• Pacchetto
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((Peso: 0,53 g tip.)
Specificità
Attributo | Valore attributivo |
---|---|
Produttore | TOSHIBA |
Categoria di prodotto | IC di memoria |
Serie | - |
Imballaggio | Scaffale |
Cassa del pacchetto | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm di larghezza) |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Interfaccia | Parallelo/seriale |
Fornitore di tensione | 2.7 V ~ 3.6 V |
Confezione del dispositivo del fornitore | 48-TSOP I |
Capacità di memoria | 8G (1G x 8) |
Tipo di memoria | EEPROM - NAND |
Velocità | 25 ns |
Format-memoria | EEPROM - Bus dati di I/O seriale |
Descrizioni
NAND Flash Parallel 3.3V 8G-bit 1G x 8
EEPROM 3.3V, 8 Gbit CMOS e NAND EEPROM
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