MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1TB PARALLELO 166MHZ Micron Technology Inc.

Marca Micron Technology Inc.
Numero di modello MT29F1T08CPCABH8-6:
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Dettagli
Tipo di memoria Non volatile Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND Capacità di memoria 1Tbit
Organizzazione di memoria 128G x 8 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 166 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access - Voltaggio - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 152-LBGA Confezione del dispositivo del fornitore 152-LBGA (14x18)
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Part Number Description
MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ
MT29F1T08CPCABH8-6:A TR IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ
MT29F1T08CUCABH8-6:A IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUCABH8-6:A TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUECBH8-12:C IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUEABH8-12:A TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUEABH8-12:A IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUECBH8-12:C TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CPCCBH8-6R:C TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CPECBH8-12:C TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUCABH8-6R:A TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUEABH8-12IT:A TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA
MT29F1T08CUCCBH8-6C:C IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CPCBBH8-6C:B IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CPCCBH8-6C:C IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUCBBH8-6C:B IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F512G08AUEBBH8-12:B IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione generale

I dispositivi Micron NAND Flash includono un'interfaccia dati asincrona per operazioni di I/O ad alte prestazioni.Ci sono cinque segnali di controllo utilizzati per implementare l'interfaccia dati asincrona: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Segnali aggiuntivi di controllo hardware protezione da scrittura e monitoraggio dello stato del dispositivo (R/B#).
Questa interfaccia hardware crea un dispositivo a basso numero di pin con un pinout standard che rimane lo stesso da una densità all'altra, consentendo futuri aggiornamenti a legami di maggiore densità senza riprogettazione della scheda.
Un target è l'unità di memoria a cui si accede tramite un segnale di attivazione del chip.Un chip NAND Flash è l'unità minima in grado di eseguire autonomamente i comandi e riportare lo stato. Una chip NAND Flash, nella specifica ONFI, è indicata come unità logica (LUN).vedere Organizzazione dei dispositivi e delle matrici.
Questo dispositivo ha un ECC interno a 4 bit che può essere abilitato utilizzando le funzionalità GET/SET.
Per ulteriori informazioni, vedere la mappatura interna dell'ECC e dell'area di riserva dell'ECC.

Caratteristiche

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 conforme1
• Tecnologia delle celle a livello unico (SLC)
• Organizzazione
Dimensione della pagina x8: 2112 byte (2048 + 64 byte)
Dimensione della pagina x16: 1056 parole (1024 + 32 parole)
Dimensione del blocco: 64 pagine (128K + 4K byte)
Dimensione dell'aereo: 2 piani x 2048 blocchi per piano
¢ Dimensione del dispositivo: 4 GB: 4096 blocchi; 8 GB: 8192 blocchi 16 GB: 16.384 blocchi
• prestazioni di I/O asincrone
TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Performance dell'array
¢ Leggere pagina: 25μs 3
Pagina del programma: 200 μs (TYPE: 1,8 V, 3,3 V)
¢ blocco di cancellazione: 700 μs (TYP)
• Set di comandi: ONFI NAND Flash Protocol
• Set di comandi avanzati
¢ Modalità di cache della pagina del programma4
️ Leggere la pagina in modalità cache 4
¢ modalità programmabile una tantum (OTP)
Comandi a due piani 4
¢ Operazioni a strisce interlacciate (LUN)
¢ Leggere l'ID univoco
Blocco di blocco (solo 1,8 V)
¢ Trasferimento dei dati interni
• Lo stato di funzionamento byte fornisce un metodo software per rilevare
¢ completamento dell'operazione
Condizione di passaggio/fallimento
¢ stato protetto da scrittura
• Il segnale Ready/Busy# (R/B#) fornisce un metodo hardware per rilevare il completamento delle operazioni
• Segnale WP#: Scrivere proteggere tutto il dispositivo
• Il primo blocco (indirizzo di blocco 00h) è valido quando viene spedito dalla fabbrica con ECC. Per l'ECC minimo richiesto, vedere Gestione degli errori.
• Il blocco 0 richiede un ECC a 1 bit se i cicli di programmazione/eliminazione sono inferiori a 1000
• RESET (FFh) richiesto come primo comando dopo l'accensione
• Metodo alternativo di inizializzazione del dispositivo (Nand_In it) dopo l'accensione (contact factory)
• Operazioni di trasferimento dei dati interni supportate all'interno del piano da cui vengono letti i dati
• Qualità e affidabilità
Ritenzione dei dati: 10 anni
Durabilità: 100.000 cicli di programmazione/cancellazione
• Intervallo di tensione di funzionamento
- VCC: 2,7 - 3,6 V
VCC: 1,7V1,95V
• Temperatura di funzionamento:
️ Commerciale: da 0°C a +70°C
Industriale (IT): da 40°C a +85°C
• Pacchetto
️ TSOP tipo 1, CPL2 a 48 pin
- 63 palle VFBGA

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Micron Technology Inc.
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio * Imballaggio alternativo
Cassa del pacchetto -
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 2.7 V ~ 3.6 V
Confezione del dispositivo del fornitore -
Capacità di memoria 1T (128G x 8)
Tipo di memoria Flash - NAND
Velocità -
Format-memoria Flash

Descrizioni

Flash - memoria NAND IC 1TB (128G x 8) parallelo 166MHz