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MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc.
| Marca | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Numero di modello | MT4T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T |
| Quantità di ordine minimo | 1 |
| Prezzo | Based on current price |
| Imballaggi particolari | sacchetto antistatico e scatola di cartone |
| Tempi di consegna | 3-5 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento | T/T |
| Capacità di alimentazione | In magazzino |
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xDettagli
| Tipo di memoria | Volatile | Formato di memoria | DRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM-DDR2 | Capacità di memoria | 512Mbit |
| Organizzazione di memoria | 128M x 4 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
| Frequenza di clock | 267 megahertz | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 15ns |
| Tempo di Access | 500 ps | Voltaggio - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 85°C (TC) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | 92-TFBGA | Confezione del dispositivo del fornitore | 92-FBGA (11x19) |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H128M4BT-37E:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H32M16BT-37E:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-3 L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-37E L:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-5E L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H256M4BT-3:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H64M16BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H64M16BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H256M4B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-5E L:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-5E L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-37E L:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-37E L:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H64M16B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H64M16B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H64M16B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H64M16B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H64M16BT-3:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 banchiMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 banche
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 banchi
Caratteristiche
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• I/O 1,8V secondo lo standard JEDEC (SSTL_18-compatibile)
• opzione di strobo differenziale (DQS, DQS#)
• Architettura prefetch a 4n bit
• Opzione di doppia uscita stroboscopica (RDQS) per x8
• DLL per allineare le transizioni DQ e DQS con CK
• 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
• latenza CAS programmabile (CL)
• La latenza dell'additivo CAS (AL) pubblicata
• TENTAZIONE di scrittura = TENTAZIONE di lettura - 1 tCK
• lunghezze di scatto selezionabili (BL): 4 o 8
• Potenza regolabile dell'azionamento di uscita dati
• 64ms, 8192 cicli di aggiornamento
• Terminazione a tempo determinato (ODT)
• Opzione di temperatura industriale (IT)
• Opzione temperatura automotive (AT)
• Conformità RoHS
• Supporta la specifica JEDEC clock jitter
Specificità
| Attributo | Valore attributivo |
|---|---|
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Categoria di prodotto | IC di memoria |
| Serie | - |
| Imballaggio | Nastro di taglio (CT) |
| Cassa del pacchetto | 92-FBGA |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Interfaccia | Parallelamente |
| Fornitore di tensione | 10,7 V ~ 1,9 V |
| Confezione del dispositivo del fornitore | - |
| Capacità di memoria | 512M (128Mx4) |
| Tipo di memoria | DDR2 SDRAM |
| Velocità | 3.75ns |
| Format-memoria | RAM |
Descrizioni
SDRAM - Memoria DDR2 IC 512Mb (128M x 4) parallelo 267MHz 500ps 92-FBGA (11x19)
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