AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLELA 134FBGA Alliance Memory, Inc.

Marca Alliance Memory, Inc.
Numero di modello AS4C128M32MD2A-18BIN
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - LPDDR2 mobile Capacità di memoria 4Gbit
Organizzazione di memoria 128M x 32 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 533 megahertz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access - Voltaggio - Fornitura 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 134-VFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 134-FBGA (10x11.5)
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Part Number Description
AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C8M32MD2A-25BCN IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCNTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Caratteristiche

• Organizzazione: 1,048,576 parole × 4 bit
• Alta velocità
- 40/50/60/70 ns tempo di accesso al RAS
- 20/25/30/35 ns tempo di accesso all'indirizzo della colonna
- 10/13/15/18 ns tempo di accesso CAS
• Basso consumo energetico
- Attivo: 385 mW max (-60)
- Standby: 5,5 mW max, CMOS I/O
• modalità di pagina veloce (AS4C14400) o EDO (AS4C14405)
• 1024 cicli di aggiornamento, intervallo di aggiornamento di 16 ms
- Aggiornamento solo RAS o CAS prima RAS
• Leggere-modificare-scrivere
• I/O a tre stati compatibili con TTL
• pacchetti standard JEDEC
- 300 mil, 20/26 pin SOJ
- 300 mil, 20/26 pin TSOP
• Fornitore di alimentazione singolo a 5 V
• Protezione ESD ≥ 2001V
• Corrente di chiusura ≥ 200 mA

Specificità

AttributoValore attributivo
ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Categoria di prodottoChip di circuito integrato
MfrAlliance Memory Inc.
Serie-
PaccoScaffale
Status del prodottoAttivo
Tipo di memoriaVolatile
Formato di memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - LPDDR2 mobile
Dimensione della memoria4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoriaParallelamente
Frequenza di orologeria533 MHz
Scrivere-ciclo-tempo-parola-pagina15 ns
Fornitore di tensione1,14 V ~ 1,95 V
Temperatura di funzionamento-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Cassa del pacchetto134-VFBGA
Confezione del dispositivo del fornitore134-FBGA (10x11.5)
Numero del prodotto di baseAS4C128