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W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Winbond Elettronica

  • W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics
Marca Winbond Electronics
Numero di modello W9812G6KH-6
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM Capacità di memoria 128Mbit
Organizzazione di memoria 8M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 166 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 5 NS Voltaggio - Fornitura 3V ~ 3,6V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 54-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm) Confezione del dispositivo del fornitore 54-TSOP II
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Part Number Description
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-5 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6I TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-5 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6I IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6I IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-5 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6I IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6IH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6IH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6EH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6JH-6I IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6JH-6I IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6I IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MD56V62160M-7TAZ0AX IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6JH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6JH-5 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

W9812G6KH è una memoria ad accesso casuale dinamico sincrono ad alta velocità (SDRAM), organizzata in 2M parole x 4 banche x 16 bit.Per essere pienamente conformi allo standard industriale del personal computer, W9812G6KH è classificato nei seguenti gradi di velocità: -5, -5I, -5J, -6, -6I, -6J e -75.


Caratteristiche

3.3V ± 0,3V Fornitura di alimentazione
Fino a 200 MHz Frequenza di orologeria
2,097,152 Parole 4 banche 16 bit organizzazione
Modalità di aggiornamento automatico
CAS latency: 2 e 3
Lunghezza di scatto: 1, 2, 4, 8 e pagina intera
Modalità lettura rapida, scrittura singola
Byte Data controllato da LDQM, UDQM
Modalità di disattivazione
Precarica automatica e precarica controllata
Cicli di aggiornamento 4K/64 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
Cicli di aggiornamento 4K/16 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 105°C
Interfaccia: LVTTL
Confezionato in TSOP II 54-pin, 400 mil utilizzando materiali privi di piombo con conformità RoHS

Specificità

AttributoValore attributivo
ProduttoreWinbond Electronics
Categoria di prodottoIC di memoria
Serie-
ImballaggioImballaggio alternativo per tubi
Cassa del pacchetto54-TSOP (0,400", 10,16 mm di larghezza)
Temperatura di funzionamento0°C ~ 70°C (TA)
InterfacciaParallelamente
Fornitore di tensione3 V ~ 3,6 V
Confezione del dispositivo del fornitore54-TSOP II
Capacità di memoria128M (8M x 16)
Tipo di memoriaSDRAM
Velocità166 MHz
Format-memoriaRAM

Descrizioni

Memoria SDRAM IC 128Mb (8M x 16) parallela a 166MHz 5ns 54-TSOP II
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI